长鑫存储技术有限公司郑孟晟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115841982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110925394.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构是由郑孟晟设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构，该浅槽隔离结构的制备方法包括：提供基底，于基底上形成多个第一沟槽，且第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势；于基底的顶部和多个第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，且第一隔离层位于第一沟槽内的部分形成第二沟槽；第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变；于第一隔离层的表面通过ISSG工艺形成连续的第二隔离层，且第二隔离层位于第二沟槽内的部分将第二沟槽完全填满。这样，由于第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势，可以直接对第一沟槽进行隔离层的填充，不仅简化了浅槽隔离结构的制程，而且提高了该隔离结构的绝缘性能。
本发明授权浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种浅槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底，于所述基底上形成多个第一沟槽，且所述第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势； 于所述基底的顶部和多个所述第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，且所述第一隔离层位于所述第一沟槽内的部分形成第二沟槽；其中，控制所述第一隔离层的厚度沿垂直方向向下呈增大趋势，以使得所述第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变，包括：根据预设阶梯覆盖率，利用原子层沉积ALD工艺对形成多个所述第一沟槽后的基底进行沉积处理，得到所述第一隔离层；其中，所述预设阶梯覆盖率小于或等于80%，所述ALD工艺至少包括以下的其中一种：电浆式ALD工艺、触媒ALD工艺和热型ALD工艺； 于所述第一隔离层的表面通过ISSG工艺形成连续的第二隔离层，且所述第二隔离层位于所述第二沟槽内的部分将所述第二沟槽完全填满。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励