广东省大湾区集成电路与系统应用研究院何广剑获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115831240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211573477.X,技术领域涉及:G16C10/00;该发明授权建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器是由何广剑;韦亚一;范泰安;薛静设计研发完成,并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器在说明书摘要公布了:本申请提供了一种建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器,该方法包括:根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器,确定酸分子的初始数量,根据碱淬灭剂的浓度和泊松生成器,确定碱分子的初始数量,根据聚合物树脂的浓度和泊松生成器,确定聚合物树脂中保护基团的初始数量;确定步骤,根据当前时刻保护基团的分子数量,确定下一时刻保护基团的分子数量,根据当前时刻酸分子的数量,确定下一时刻酸分子的数量,根据当前时刻碱分子的数量,确定下一时刻碱分子的数量;重复确定步骤多次,直到当前次的下一时刻为光刻胶烘烤的结束时刻。该方法解决了现有技术中在进行纳米级别的光刻建模时,忽视分子的随机性的技术问题。
本发明授权建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器在权利要求书中公布了:1.一种建模方法,其特征在于,包括: 根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器,确定酸分子的初始数量,根据碱淬灭剂的浓度和所述泊松生成器,确定碱分子的初始数量,根据聚合物树脂的浓度和所述泊松生成器,确定所述聚合物树脂中保护基团的初始数量,所述光酸发生剂、所述碱淬灭剂以及所述聚合物树脂构成光刻胶,所述酸分子为所述光酸发生剂在所述光刻胶曝光后转换得到的,所述泊松生成器用于根据输入的与所述酸发生剂的浓度相关的第一预定参数生成所述酸分子的初始数量、根据输入的与所述碱淬灭剂的浓度相关的第二预定参数生成所述碱分子的初始数量以及根据输入的与所述聚合物树脂的浓度相关的第三预定参数生成所述保护基团的初始数量; 确定步骤,根据当前时刻所述保护基团的分子数量,确定下一时刻所述保护基团的分子数量,根据当前时刻所述酸分子的数量,确定下一时刻所述酸分子的数量,根据当前时刻所述碱分子的数量,确定下一时刻所述碱分子的数量,在第一次确定步骤中,所述当前时刻为光刻胶烘烤过程的开始时刻,所述当前时刻的保护基团的分子数量为所述保护基团的初始数量,所述当前时刻的所述酸分子的数量为所述酸分子的初始数量,所述当前时刻的所述碱分子的数量为所述碱分子的初始数量; 重复所述确定步骤多次,直到当前次的下一时刻为所述光刻胶烘烤的结束时刻,其中,在每次重复的过程中,将上次的所述确定步骤中的下一时刻的所述保护基团的分子数量更新为当前次的当前时刻的保护基团的分子数量,将上次的所述确定步骤中的下一时刻的所述酸分子的数量更新为当前次的当前时刻的酸分子的数量,将上次的所述确定步骤中的下一时刻的所述碱分子的数量更新为当前次的当前时刻的碱分子的数量。
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