昆山厦大创新中心陈松岩获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山厦大创新中心申请的专利基于调控热触发反应方向的锂硅合金粉末及电极制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211487116.3，技术领域涉及：H01M4/1395；该发明授权基于调控热触发反应方向的锂硅合金粉末及电极制备方法是由陈松岩;张志勇;黄巍;罗林山;苏鹏飞;兰超飞;李亚辉设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于调控热触发反应方向的锂硅合金粉末及电极制备方法在说明书摘要公布了：基于调控热触发反应方向的锂硅合金粉末及电极制备方法，1在热板上将锂源放置于平铺的硅粉边缘，确保物理接触；2通过限制硅粉的平铺厚度来调控反应场的温度分布，进而限制热触发锂硅自发反应方向，合成Li4.1Si；3DOL作为溶剂，PEO作为粘结剂，SP等作为导电剂，制备含有Li4.1Si的电极。热板法适用于纳米级至微米级的硅粉，在180℃以上便可触发锂硅连锁反应，制备规模可随着热板尺寸扩大而扩大。反应完成后，产物中没有多余的锂，可快速得到锂硅合金粉末。DOL与PEO保留了Li4.1Si的电化学活性，适合制备电极。该发明制备工艺简单实用，成本低廉，易实现规模化商业生产。
本发明授权基于调控热触发反应方向的锂硅合金粉末及电极制备方法在权利要求书中公布了：1.基于调控热触发反应方向的锂硅合金粉末的制备方法，其特征在于包括以下步骤： 1形成物理接触：在水氧含量均不高于0.1ppm的手套箱内，将硅粉均匀平铺在热板上，热板温度由加热平台提供，温度范围为180~600℃，锂源放置于硅粉边缘，并形成物理接触； 2反应场温度调控：通过限制硅粉的平铺厚度来调控反应场的温度分布，硅粉的平铺厚度为h≤3.5cm，热板加热后，热触发锂硅的自发反应，即得到Li4.1Si合金。
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