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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种低漏电台面结构SiC光电晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763627B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211485532.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种低漏电台面结构SiC光电晶体管的制备方法是由赵小龙;崔珮雯;黄丹阳;贺永宁设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低漏电台面结构SiC光电晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低漏电台面结构SiC光电晶体管的制备方法，包括步骤：对SiC外延片进行标准清洗；对外延片进行对准标记刻蚀，然后光刻形成掩蔽膜，进行离子注入，热退火，形成P+区；光刻形成掩刻蚀膜，使用感应耦合等离子体技术进行刻蚀形成台面；对得到的SiC外延片进行钝化；具体包括生长一层牺牲氧化层，用BOE溶液去除后再生长一层热氧化层，然后再PECVD1μm氧化层；制作背面电极，电子束蒸发金属Ni电极形成n型欧姆接触；制作正面电极，电子束蒸发NiTiAlniAu形成欧姆接触，最后蒸发Al形成引焊区，得到SiC新型光电NPN晶体管。本发明通过在台面SiCNPN器件的边缘离子注入P+区，使得器件边缘处的增益值大幅减小，降低器件漏电的目的。

本发明授权一种低漏电台面结构SiC光电晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低漏电台面结构SiC光电晶体管的制备方法，其特征在于，该方法在器件的边缘处使用离子注入，在P区形成P+区，降低边缘增益及边缘漏电，具体包括以下步骤： 1对SiC外延片样品进行标准清洗； 2对外延片进行对准标记刻蚀，然后光刻形成掩蔽膜，进行离子注入，热退火，形成P+区； 3光刻形成掩刻蚀膜，使用感应耦合等离子体技术进行刻蚀形成台面；感应耦合等离子体刻蚀离子源功率为100～800W，衬底偏压功率为20～100W，使用混合气体CF4与O2或混合气体SF6与O2对器件进行刻蚀，使用气体C4F8对器件侧壁进行保护； 4对步骤3得到的SiC外延片进行钝化；具体包括生长一层牺牲氧化层，用BOE溶液去除后再通过高温热氧化生长一层热氧化层，然后再采用PECVD生长1μm氧化层；所述的高温热氧化前，在氧化炉中通入高纯氧气10～20min，氧化温度为1100～1500℃，升温时间2～3h，单次氧化时间1～3h； 5制作背面电极，电子束蒸发金属Ni电极形成n型欧姆接触； 6制作正面电极，电子束蒸发NiTiAliAu形成欧姆接触，最后蒸发Al形成引焊区，得到SiC新型NPN光电晶体管。

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