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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利位元线结构的制作方法及数据存储阵列的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110855234.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权位元线结构的制作方法及数据存储阵列的制作方法是由孙正庆;赵行乐;李昇;金星设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本位元线结构的制作方法及数据存储阵列的制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种位元线结构的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底上形成金属层、第一掩膜叠层和第二掩膜叠层；图形化所述第二掩膜叠层以形成第一芯轴；在所述第一芯轴上随形沉积第一介质层，刻蚀所述第一芯轴及部分所述第一介质层，剩余的所述第一介质层形成间第二芯轴；采用光刻胶覆盖所述第一区域的所述第二芯轴；去除未被光刻胶覆盖的所述第二芯轴；沿所述第二芯轴依次刻蚀所述第一区域的所述第一掩膜叠层及所述金属层，同时刻蚀去除所述第二区域的所述第一掩膜叠层及所述金属层，仅在所述第一区域形成间隔排布的位元线结构。通过上述技术方案，改善了位元线结构失效，提高了位元线结构的制造良率。

本发明授权位元线结构的制作方法及数据存储阵列的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种位元线结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域； 在所述衬底上形成金属层及位于所述金属层上的第一掩膜叠层和第二掩膜叠层，所述第一掩膜叠层从下到上依次包括氧化层、第一碳层及第一保护层，所述第一保护层为富硅的氮氧化硅层或者硅层； 图形化所述第二掩膜叠层以形成间隔排布的第一芯轴； 采用自对准双重成像工艺在所述第一芯轴上随形沉积第一介质层，刻蚀所述第一芯轴及部分所述第一介质层，剩余的所述第一介质层形成间隔排布的第二芯轴，所述第二芯轴的数量多于所述第一芯轴的数量； 采用光刻胶覆盖所述第一区域的所述第二芯轴； 去除未被光刻胶覆盖的所述第二区域的所述第二芯轴，以使所述第二区域的所述第一掩膜叠层完全暴露； 沿所述第二芯轴依次刻蚀所述第一区域的所述第一掩膜叠层及所述金属层，同时刻蚀去除所述第二区域的所述第一掩膜叠层及所述金属层，仅在所述第一区域形成间隔排布的位元线结构。

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