中国电子科技集团公司第十三研究所史艳磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种添加化合物半导体材料的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115613123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211186438.4，技术领域涉及：C30B15/02；该发明授权一种添加化合物半导体材料的装置和方法是由史艳磊;孙聂枫;徐成彦;秦敬凯;王书杰;邵会民;刘惠生设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种添加化合物半导体材料的装置和方法在说明书摘要公布了：一种添加化合物半导体材料的装置和方法，属于半导体晶体制备领域。所述装置包括炉体和坩埚，在炉体内设置可升降的环形投料架，在投料架上放置环形多晶胶囊架，在多晶胶囊架上设置上下开口的多晶胶囊；籽晶杆连接驱动电机，籽晶杆上设置凸台；籽晶杆的外形及环形多晶胶囊架中心孔的形状为匹配的多边形；在坩埚上沿的材料释放装置，所述材料释放装置连接材料释放装置的驱动机构。所述方法包括：准备材料、加热坩埚、依次打开多晶胶囊的封堵进行添料。本发明方法采取多步骤填料，装料前，坩埚中放置覆盖剂，当覆盖剂熔化后，再分多次添加多晶材料，确保添入的多晶料被熔化的覆盖剂淹没，在液面下熔化，不会造成多晶料中元素的损失。
本发明授权一种添加化合物半导体材料的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种添加化合物半导体材料的装置，包括炉体和炉体内的坩埚，其特征在于，在炉体内设置连接竖直升降机构的环形投料架，在投料架上放置多晶胶囊架，所述多晶胶囊架上均匀设置4-8个圆孔；在多晶胶囊架的圆孔内设置上下开口的多晶胶囊；籽晶杆连接驱动电机，籽晶杆上设置凸台；籽晶杆穿过多晶胶囊架的中心孔，所述籽晶杆的外形及多晶胶囊架中心孔的形状为匹配的多边形； 所述装置还包括设置在坩埚上沿的材料释放装置，所述材料释放装置连接材料释放装置的驱动机构。
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