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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种阻变存储器总剂量辐射测试方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211139602.6，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权一种阻变存储器总剂量辐射测试方法和装置是由李雨佳;赵元富;王亮;李同德;张彦龙设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阻变存储器总剂量辐射测试方法和装置在说明书摘要公布了：本申请涉及阻变存储器领域，具体公开了一种阻变存储器总剂量辐射测试方法，包括：将对多个阻变存储器进行分组，得到M组阻变存储器，每组阻变存储器包括N个阻变存储器，M组阻变存储器分别对应M个初始阻态；对M组阻变存储器进行总剂量辐射实验；对M组阻变存储器进行循环耐受性实验，循环耐受性实验的结果用于指示阻变存储器的与总剂量辐射相关的测试结果。通过该测试方法，可以模拟阻变存储器受到总剂量辐射后的耐受性变化，以对阻变存储器在总剂量辐射环境中的应用提供优化方案。

本发明授权一种阻变存储器总剂量辐射测试方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储器总剂量辐射的测试方法，其特征在于，所述方法包括： 将对多个阻变存储器进行分组，得到M组阻变存储器，每组阻变存储器包括N个阻变存储器，所述M组阻变存储器分别对应M个初始阻态； 对所述M组阻变存储器进行总剂量辐射实验； 对所述M组阻变存储器进行循环耐受性实验，所述循环耐受性实验的结果用于指示阻变存储器的与总剂量辐射相关的测试结果； 所M组阻变存储器分别对应M个高阻Rh和M个低阻Rl，所述将对多个阻变存储器进行分组，得到M组阻变存储器，包括： 对目标阻变存储器进行读操作，得到所述目标阻变存储器的阻值为Rmn； 当Rmn≥Rhm+Rlm2时，执行J次调低阻操作，每次调低阻操作包括第一写操作和第一重置操作，在所述J次调低阻操作成功后，Rlm*1-λL％≤Rmn≤Rlm*1+λL％，λL％为所述目标阻变存储器低阻态允许的最大阻值误差，Rhm为所述目标阻变存储器所在组对应的目标高阻Rhm，Rlm为所述目标阻变存储器所在组对应的目标低阻Rlm； 当Rmn＜Rhm+Rlm2时，执行K次调高阻操作，每次调高阻操作包括第二重置操作和第二写操作，在所述K次调高阻操作成功后，Rhm*1-λH％≤Rmn≤Rhm*1+λH％，λH％为所述目标阻变存储器高阻态允许的最大阻值误差； 所述写操作包括： 对所述目标阻变存储器件施加写脉冲幅值Vsetm、脉宽Psetm，写栅压脉冲幅值Vgsetm、脉宽Pgsetm的写操作； 对所述目标阻变存储器件施加读脉冲幅值VR、脉宽PR，和读栅压脉冲幅值VgR、脉宽PgR的读操作； 所述重置操作包括： 对所述目标阻变存储器件施加重置脉冲幅值Vrem、脉宽Prem和重置栅压脉冲幅值Vgrem、脉宽Pgrem的重置操作； 对所述目标阻变存储器件施加读脉冲幅值VR、脉宽PR，和读栅压脉冲幅值VgR、脉宽PgR的读操作。

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