长鑫存储技术有限公司赵哲获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利失效测试方法、测试装置、测试设备和可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211157141.5，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权失效测试方法、测试装置、测试设备和可读存储介质是由赵哲;吴耆贤设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本失效测试方法、测试装置、测试设备和可读存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种失效测试方法、测试装置、测试设备和可读存储介质，涉及半导体技术领域。其中，失效测试方法包括：向存储阵列中的存储单元周期性写入循环顺序移位的测试数据，其中，在一个测试周期，针对所述存储阵列中的激活字线，以指定突发长度的存储单元为写入单位写入所述测试数据，直至写完所述存储阵列，在下一个测试周期，对所述测试数据进行顺序移位，并将移位后的所述测试数据写入所述存储阵列，直至完成失效测试。通过本公开的技术方案，通过以指定突发长度的存储单元为写入单位写入测试数据，能够提升测试效率。
本发明授权失效测试方法、测试装置、测试设备和可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种存储器芯片的失效测试方法，其特征在于，所述存储器芯片包括存储阵列，所述失效测试方法包括： 向存储阵列中的存储单元周期性写入循环顺序移位的测试数据， 其中，在一个测试周期，针对所述存储阵列中的激活字线，以指定突发长度的存储单元为写入单位写入所述测试数据，直至写完所述存储阵列，在下一个测试周期，对所述测试数据进行顺序移位，并将移位后的所述测试数据写入所述存储阵列，直至完成失效测试。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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