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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种双面屏蔽结构的抗电磁干扰薄膜热电偶及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115371829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211064218.4，技术领域涉及：G01K7/02；该发明授权一种双面屏蔽结构的抗电磁干扰薄膜热电偶及其制备方法是由田边;李水敏;刘兆钧;张仲恺;雷嘉明;蔡荣富;李浩;刘江江设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双面屏蔽结构的抗电磁干扰薄膜热电偶及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双面屏蔽结构的抗电磁干扰薄膜热电偶及其制备方法，采用双面屏蔽的结构解决现有薄膜热电偶输出信号受电磁干扰而导致信号精度低的技术问题，包括陶瓷基底以及陶瓷基底上的正极敏感层薄膜、负极敏感层薄膜、敏感层薄膜上的绝缘层薄膜、陶瓷基底背面的屏蔽层薄膜、绝缘层薄膜上的屏蔽层薄膜。采用磁控溅射技术、电子束蒸发技术及丝网印刷技术等，在陶瓷基底上制备两种不同的热电极敏感层薄膜及绝缘层薄膜、屏蔽层薄膜。制备的双面屏蔽薄膜热电偶可用于电磁环境中的温度测量，减小干扰引入，提高薄膜热电偶输出信号的精度。

本发明授权一种双面屏蔽结构的抗电磁干扰薄膜热电偶及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备双面屏蔽结构的抗电磁干扰薄膜热电偶的方法，其特征在于，双面屏蔽结构的抗电磁干扰薄膜热电偶，包括陶瓷基底3，陶瓷基底3的下表面设置有第一屏蔽层4，第一屏蔽层4与陶瓷基底3的长度相同，绝缘层5与第二屏蔽层6的长度相同，第二屏蔽层6的厚度为20~100μm，陶瓷基底3的上表面设置有正极敏感层薄膜1和负极敏感层薄膜2，正极敏感层薄膜1和负极敏感层薄膜2的厚度均为20~100μm，正极敏感层薄膜1和负极敏感层薄膜2对称设置并相互接触，正极敏感层薄膜1、负极敏感层薄膜2和陶瓷基底3的上表面设置有绝缘层5，绝缘层5采用Al2O3制备而成，绝缘层5上设置有第二屏蔽层6，第一屏蔽层4与第二屏蔽层6接地连接； 正极敏感层薄膜1的一端连接左冷端9，负极敏感层薄膜2的一端连接右冷端10，左冷端9和右冷端10通过连接补偿导线引出热电势，正极敏感层薄膜1的另一端与负极敏感层薄膜2的另一端相互搭接形成热节点感温区域7；包括以下步骤： 分别使用氧化铟锡浆料和氧化铟浆料在陶瓷基底的上表面进行干燥和退火处理，制备得到正极敏感层薄膜和负极敏感层薄膜； 使用镍包铜浆料在陶瓷基底的下表面进行干燥和退火处理，制备得到第一屏蔽层； 使用氧化铝浆料在正极敏感层薄膜、负极敏感层薄膜和陶瓷基底的上表面进行干燥和退火处理，制备得到绝缘层，制备绝缘层的干燥温度为60~80℃，退火温度150~350℃，时间15~120min，氧化铝浆料中的氧化铝粉末的粒径为30~100nm；使用镍包铜浆料在绝缘层的上表面进行干燥和退火处理，制备得到第二屏蔽层，制备第一屏蔽层和第二屏蔽层干燥温度为60~80℃； 在真空或惰性气氛中进行退火处理，制备得到双面屏蔽薄膜热电偶，制备正极敏感层薄膜和负极敏感层薄膜的干燥温度为60~80℃，退火温度为200~350℃，时间为15~180min，氧化铟锡粉末由90%氧化铟和10%氧化锡混合而成，制备双面屏蔽薄膜热电偶的退火温度100~350℃，时间15~180min。

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