浙江驰拓科技有限公司刘欢获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利保护MRAM数据的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188401B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110376437.5，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权保护MRAM数据的装置是由刘欢;戴强设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本保护MRAM数据的装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种保护MRAM数据的装置，包括：环境监测模块，包括至少一个MTJ监测子模块和至少一个与所述MTJ监测子模块电连接的监测电路，所述监测电路用于依据所述MTJ监测子模块的状态产生对应的时钟周期和使能信号；重写模块，与所述环境监测模块通信连接，所述重写模块用于依据所述使能信号和所述时钟周期对所述MRAM数据进行重写刷新。本发明能够实时的监测环境，并依据环境状态，对MRAM数据进行特定周期的刷新重写，从而确保MRAM单元中存储数据的正确性。
本发明授权保护MRAM数据的装置在权利要求书中公布了：1.一种保护MRAM数据的装置，其特征在于，包括： 环境监测模块，包括至少一个MTJ监测子模块和至少一个与所述MTJ监测子模块电连接的监测电路，所述监测电路用于依据所述MTJ监测子模块的状态产生对应的时钟周期和使能信号； 重写模块，与所述环境监测模块通信连接，所述重写模块用于依据所述使能信号和所述时钟周期对所述MRAM数据进行重写刷新； 其中，所述MTJ监测子模块包括两组以上的MTJ单元、两个以上的与门电路以及一个或门电路，所述两个以上的与门电路的输出端连接在或门电路的两个以上的输入端，每个所述与门电路的两个以上的输入端与一组所述MTJ单元连接； 其中，同一MTJ监测子模块中的MTJ单元翻转所需磁场强度相同；多个MTJ监测子模块中MTJ单元翻转所需磁场强度依次递增。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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