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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172268B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210786306.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片是由庄宇峰;吕术亮;李远;陶珩设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片，该高深宽比结构为深宽比大于50的凹陷结构，该方法包括：第一沉积步骤，在凹陷结构的侧壁和底部沉积第一厚度的钨材料层；处理步骤，通入处理气体到基片表面，处理气体包括含氟氯的自由基和至少含碳、硫、氮、氢或氧之一的自由基；第二沉积步骤，沉积第二厚度的钨材料层，使得凹陷结构的至少部分区域被钨填充。其优点是：其通过处理气体中的自由基在钨材料层表面形成表面键，以减缓该处后续钨材料沉积，含氟氯自由基的刻蚀进一步避免了凹陷结构顶部开口的过早封闭，实现了凹陷结构内的缝隙下移和缩小，避免在后续CMP处理工艺中暴露缝隙，有助于提升基片的使用寿命及其电学性能。

本发明授权一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片在权利要求书中公布了：1.一种在高深宽比结构中沉积钨的方法，其特征在于，所述高深宽比结构为自基片表面向下凹陷的凹陷结构，所述凹陷结构的深宽比大于50：1，所述沉积钨的方法包括： 第一沉积步骤，在凹陷结构的侧壁和底部沉积第一厚度的钨材料层，所述第一厚度为10-500埃； 处理步骤，通入处理气体，并借助远程等离子体设备对处理气体进行解离得到含氟氯的自由基和至少含碳、硫、氮、氢或氧之一的自由基，所述处理气体流量范围为1-200sccm，所述至少含碳、硫、氮、氢或氧之一的自由基与所述凹陷结构的侧壁沉积的钨材料层的至少部分区域形成钨生长抑制区；其中，所述处理步骤包含多次处理操作，每次所述处理操作包含一次处理子步骤和一次净化子步骤，所述处理子步骤中所述处理气体通过远程等离子体设备激励后通入到所述基片的表面，所述净化子步骤中通入惰性气体，以调节所述钨生长抑制区的处理深度和处理强度； 第二沉积步骤，在经过所述处理步骤处理后的凹陷结构内沉积第二厚度的钨材料层，使得所述凹陷结构的至少部分区域被钨填充。

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