琳得科株式会社中石康喜获国家专利权
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龙图腾网获悉琳得科株式会社申请的专利背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115136294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180015484.5，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法是由中石康喜设计研发完成，并于2021-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：一种背面保护膜形成用复合体1，其通过层叠保护层12与背面保护膜形成用膜13而成，该背面保护膜形成用复合体1被用于第一层叠体的制造方法中，该制造方法包括以下工序：在半导体基板的背面贴附背面保护膜形成用膜13，得到依次层叠有所述半导体基板、背面保护膜形成用膜13及保护层12的第二层叠体的第一层叠工序；使所述第二层叠体的背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜的固化工序；及将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序，所述第一层叠体通过依次层叠所述半导体基板、所述背面保护膜及保护层12而成。
本发明授权背面保护膜形成用复合体、第一层叠体的制造方法、第三层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种第一层叠体的制造方法，其中，背面保护膜形成用复合体被用于第一层叠体的制造方法，所述背面保护膜形成用复合体通过层叠保护层与背面保护膜形成用膜而成，所述第一层叠体通过依次层叠半导体基板、背面保护膜及保护层而成，其中，所述保护层为能量射线固化性膜、由树脂膜构成的基材或在所述基材上具有粘着剂层或剥离剂层而成的保护层，所述制造方法包括以下工序： 在所述半导体基板的背面贴附背面保护膜形成用复合体的所述背面保护膜形成用膜，得到依次层叠有所述半导体基板、所述背面保护膜形成用膜及所述保护层的第二层叠体的第一层叠工序； 使所述第二层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化而制成背面保护膜的固化工序；及 将所述第二层叠体从所述第一层叠工序搬运至所述固化工序的搬运工序。
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