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龙图腾网获悉苏州科阳半导体有限公司申请的专利一种声表面波滤波器晶圆级封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115051678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210553087.X，技术领域涉及：H03H9/10；该发明授权一种声表面波滤波器晶圆级封装结构及其制作方法是由朱其壮;王朝阳;金科;吕军设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种声表面波滤波器晶圆级封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种声表面波滤波器晶圆级封装结构及其制作方法，声表面波滤波器晶圆级封装结构包括：晶圆，晶圆的第一表面设置有声表面波滤波器，其中，声表面波滤波器包括叉指换能器和至少两个电极，电极的部分凸出于晶圆的边沿；围堰层，位于叉指换能器和电极之间且围绕叉指换能器，围堰层的厚度大于叉指换能器的厚度；遮蔽层，位于围堰层远离晶圆的一侧；封装层，位于遮蔽层远离晶圆的一侧，封装层覆盖晶圆的第一表面、电极远离晶圆的表面、围堰层和遮蔽层，封装层邻近晶圆的表面设置有凹槽，凹槽的侧壁露出电极的侧面。本实施例提供的封装结构及其制作方法，可以提高晶圆的密封性，也可以提高声表面波滤波器晶圆级封装结构的可靠性。

本发明授权一种声表面波滤波器晶圆级封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种声表面波滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括： 晶圆，所述晶圆的第一表面设置有声表面波滤波器，其中，所述声表面波滤波器包括叉指换能器和至少两个电极，所述电极的部分凸出于所述晶圆的边沿； 围堰层，位于所述叉指换能器和所述电极之间且围绕所述叉指换能器，所述围堰层的厚度大于所述叉指换能器的厚度； 遮蔽层，位于所述围堰层远离所述晶圆的一侧； 封装层，位于所述遮蔽层远离所述晶圆的一侧，所述封装层覆盖所述晶圆的第一表面、所述电极远离所述晶圆的表面、所述围堰层和所述遮蔽层，所述封装层邻近所述晶圆的表面设置有凹槽，所述凹槽的侧壁露出所述电极的侧面； 第一钝化层，位于所述晶圆与所述第一表面相对的第二表面上且覆盖所述晶圆及裸露的所述电极远离所述封装层的表面； 重新布线层，位于所述第一钝化层远离所述封装层的一侧且延伸至所述电极的侧边与所述电极连接； 与不同所述电极连接的所述重新布线层不连接。

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