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龙图腾网获悉浙江超晶晟锐光电有限公司申请的专利SiC/SiO2界面结构、SiC MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210555334.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权SiC/SiO2界面结构、SiC MOS器件及其制备方法是由张凡;贾宝楠;张焱超设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC/SiO2界面结构、SiC MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种SiCSiO2界面结构、SiCMOS器件及其制备方法，涉及金属氧化物半导体场效应管的制备领域。本申请的可以有效抵抗漏电流的SiCSiO2界面结构，是通过在SiC上生长O终端的SiO2薄膜，得到具有较大导带台阶的界面结构。经计算分析，无缺陷的O终端界面结构是可以有效抵抗漏电流的高质量界面。本申请的SiCSiO2界面结构应用于SiC金属氧化物半导体场效应管MOSFET器件，可以提高器件性能。本申请的SiCSiO2界面结构可以采用化学气相沉积技术结合硅氧化工艺进行制备，结构和操作工艺简单，易于控制。

本发明授权SiC/SiO2界面结构、SiC MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOS器件的制备方法，其特征在于，所述SiCMOS器件包括可以有效抵抗漏电流的SiCSiO2界面结构，所述的SiCSiO2界面结构通过在SiC上生长无缺陷O终端的SiO2薄膜形成所述的SiCSiO2界面结构，无缺陷O终端界面结构比无缺陷Si终端界面结构具有更大导带台阶；采用含有SiCSiO2界面结构制备SiCMOS器件；SiCMOS器件的制备方法，包括如下步骤： 步骤100，选取合适的SiC晶片，对SiC晶片进行清洗，采用RCA标准清洗工艺对SiC晶片进行清洗； 步骤200，在SiC晶片表面沉积硅膜，利用机械泵和分子泵将等离子体增强化学气相沉积反应腔室的真空度抽至6×10-3Pa，随后通入气体，其中：气体SiH4与Ar流量控制比为1：95，气体SiH4流量控制在300sccm，沉积温度为600℃，沉积时间为50min，等离子体功率为800W； 步骤300，硅膜热氧化，其中，通过调节工艺参数，保证只有硅膜被氧化，从而获得无缺陷O终端的SiO2与SiC构成的SiCSiO2界面结构；硅膜热氧化，具体是：在石英管内进行干氧氧化，氧化温度控制在800℃，氧分压控制在0.9atm，氧化时间控制在120min，氧化气体流量控制在1000sccm，并利用干燥纯化器处理； 步骤400，对步骤300的SiCSiO2界面结构进行高温退火；高温退火，是在高温管式炉内加热，处理温度为600℃，通入NO气体，气体流量为300sccm，处理时间为60min； 步骤500，通过光刻、刻蚀及高能离子注入工艺形成源区和漏区，并且清洗干燥，随后进行高温退火，对注入的离子进行高温激活； 步骤600，通过lift-off工艺溅射沉积金属Al电极，随后进行高温退火； 步骤700，最后在惰性气体Ar气保护下进行冷却，完成SiCMOS器件的制备。

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