歌尔微电子股份有限公司邱冠勋获国家专利权
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龙图腾网获悉歌尔微电子股份有限公司申请的专利抗跌落振膜结构芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115022794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210607114.7，技术领域涉及：H04R31/00；该发明授权抗跌落振膜结构芯片及其制备方法是由邱冠勋;林圆绍设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗跌落振膜结构芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗跌落振膜结构芯片及其制备方法，其中的抗跌落振膜结构芯片包括基板、设置在所述基板上的基底组件以及设置在所述基底组件上的振膜组件；所述基底组件包括至少两层上下叠设的基底层，其中，在相邻的两层所述基底层之间均设置有缓冲连接层。本发明提供的抗跌落振膜结构芯片及其制备方法能够解决现有技术中为抵抗芯片跌落损坏而导致振膜或背极板厚度或层数增多的问题。
本发明授权抗跌落振膜结构芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗跌落振膜结构芯片，包括基板、设置在所述基板上的基底组件以及设置在所述基底组件上的振膜组件；其特征在于， 所述基底组件包括至少两层上下叠设的基底层，其中，在相邻的两层所述基底层之间设置有缓冲连接层，相邻的两层所述基底层之间通过所述缓冲连接层键合，所述缓冲连接层由低杨氏系数芯片连接材料制成；其中， 在所述基底组件中，处于最上层的基底层为硅基底，除去最上层的基底层之外的所有基底层均为硅载板，所述振膜组件设置在所述硅基底上；并且，所述硅基底内设置有电路，所述硅载板内为设置电路。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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