中微半导体设备(上海)股份有限公司姜勇获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114908334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110176614.5，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法是由姜勇;谢振南设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法在说明书摘要公布了：一种下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法，其中，下电极组件包括：加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个加热元件，所述基片槽的底部设有进气口，用于向所述凹坑空间内基片的背面输送导热气体。利用所述化学气相沉积装置有利于提高基片不同区域温度的一致性。
本发明授权下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法在权利要求书中公布了：1.一种下电极组件，所述下电极组件应用于化学气相沉积装置中，所述化学气相沉积装置包括反应腔，其特征在于，包括： 加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，所述凸台用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个加热元件，所述基片槽的底部设有进气口，所述进气口用于向所述凹坑空间内所述基片的背面输送导热气体，所述导热气体在所述凹坑空间内扩散，最后从所述基片边缘与基片槽侧壁之间的间隙释放出去，所述导热气体在凹坑空间的压力大于所述反应腔内的压力，且所述导热气体的流量为1标准毫升分钟~500标准毫升分钟；其中， 所述基片槽的底部设有若干个第一气道，所述导热气体由所述进气口进入所述第一气道，所述若干个第一气道呈环状设置，所述进气口与内圈的第一气道连通，不同圈的第一气道之间通过连接通道连通，所述导热气体在所述基片槽的径向方向上从内圈的第一气道通过连接气道向外圈的第一气道依次传递； 所述加热盘能够沿其中心轴旋转。
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