南亚科技股份有限公司周良宾获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111134499.1，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体元件及其制备方法是由周良宾设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本案公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一堆叠结构设置于一第一基底；一第一杂质区域与一第二杂质区域分别设置于该第一堆叠结构相对的侧边并与该第一堆叠结构操作性地关联；一第二堆叠结构设置于该第一堆叠结构，且一中间绝缘层设置于其间；及一第三杂质区域设置于该第二堆叠结构的一侧边，且与该第二杂质区域电性耦合。该第一堆叠结构包括交替地排列的多个第一半导体层与多个栅极组合。所述栅极组合包括一栅极介电层与一栅极电极。该第二堆叠结构包括交替地排列的多个第二半导体层与多个电容次单元。所述电容次单元包括一电容介电层与一电容电极。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一第一堆叠结构，设置于一第一基底上，且包括： 交替地排列的多个第一半导体层与多个栅极组合，所述栅极组合包括一栅极介电层与一栅极电极； 一第一杂质区域与一第二杂质区域分别设置于该第一堆叠结构相对的侧边，且与第一堆叠结构操作地关联； 一第二堆叠结构，设置于第一堆叠结构的上方，且一中间绝缘层位于其间，该第二堆叠结构包括： 交替地排列的多个第二半导体层与多个电容次单元，所述电容次单元包括一电容介电层与一电容电极；及 一第三杂质区域设置于该第二堆叠结构的一侧边，且与该第二杂质区域电性耦合。
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