中微半导体设备(上海)股份有限公司王智昊获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利用于电容耦合等离子处理器阻抗特性测量的测量装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011544754.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于电容耦合等离子处理器阻抗特性测量的测量装置和方法是由王智昊;吴磊设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于电容耦合等离子处理器阻抗特性测量的测量装置和方法在说明书摘要公布了：一种用于电容耦合等离子体处理器的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述阻抗特性测量装置包括：上接触板和下接触板，其中上接触板用于与电容耦合等离子处理器的气体喷淋头下表面接触，下接触板用于与所述电容耦合等离子处理器中的静电夹盘上表面接触；至少一个弹性导电部位于所述上接触板和下接触板之间，所述弹性导电部提供弹力，使得阻抗特性测量装置在进行电容耦合等离子处理器阻抗特性曲线测量时，上、下接触板的间距被压缩后分别与气体喷淋头和静电夹盘紧密接触。实现不点等离子精确测量等离子处理器阻抗特性曲线。
本发明授权用于电容耦合等离子处理器阻抗特性测量的测量装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于电容耦合等离子体处理器的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述阻抗特性测量装置包括： 上接触板和下接触板，其中上接触板用于与电容耦合等离子处理器的气体喷淋头下表面接触，下接触板用于与所述电容耦合等离子处理器中的静电夹盘上表面接触； 至少一个弹性导电部位于所述上接触板和下接触板之间，所述弹性导电部提供弹力和低阻抗导电路径，使得阻抗特性测量装置在进行电容耦合等离子处理器阻抗特性曲线测量时，上、下接触板的间距被压缩后分别与气体喷淋头和静电夹盘紧密接触；所述上、下接触板由绝缘材料制成，且厚度为0.1-1mm，或者由半导体材料制成，且厚度为0.6-3mm。
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