努比亚技术有限公司蒋权获国家专利权
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龙图腾网获悉努比亚技术有限公司申请的专利一种电子价签控制电路和电子价签获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114298262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111590715.3,技术领域涉及:G06K19/07;该发明授权一种电子价签控制电路和电子价签是由蒋权设计研发完成,并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子价签控制电路和电子价签在说明书摘要公布了:本发明公开了一种电子价签控制电路和电子价签,其中,该电路包括:价签的电池连接器X1、PMOS管VT1以及NMOS管Q1,其中,所述电池连接器X1的1管脚连接设备电池的正极,所述电池连接器X1的2管脚连接设备电池的负极,所述价签的电池Vbat网络上设置C0稳压滤波电容,所述电池Vbat网络连接至所述PMOS管VT1的源极,所述PMOS管VT1的控制极连接至所述NMOS管Q1源极,所述PMOS管VT1的漏极输出电源为VBAT_RFID电源,所述VBAT_RFID电源为RFID芯片的供电总电源。本发明可根据RFID模块不同工作场景选择合适的工作模式,降低了工作功耗,提升产品续航能力。
本发明授权一种电子价签控制电路和电子价签在权利要求书中公布了:1.一种电子价签控制电路,其特征在于,所述电路包括:价签的电池连接器X1、PMOS管VT1以及NMOS管Q1,其中,所述电池连接器X1的1管脚连接设备电池的正极,所述电池连接器X1的2管脚连接设备电池的负极,所述价签的电池Vbat网络上设置C0稳压滤波电容,所述电池Vbat网络连接至所述PMOS管VT1的源极,所述PMOS管VT1的控制极连接至所述NMOS管Q1源极,所述PMOS管VT1的漏极输出电源为VBAT_RFID电源,所述VBAT_RFID电源为RFID芯片的供电总电源,设置的DEBUG_TST测试点连接至所述价签的MCU微控制器的DENUG_IN管脚,所述MCU微控制器的RFID_EN管脚连接至所述NMOS管Q1控制极,所述NMOS管Q1源极连接至GND网络,所述MCU微控制器的RFID_PD信号连接至所述RFID芯片的PDRST信号; 当所述价签组装完成,进入生产测试时,将所述价签放置在整机夹具上,由上位机测试软件通过ICE信号将所述价签的组网测试启动信息发送至所述价签的所述MCU微控制器; 所述MCU微控制器接收到所述价签的组网测试启动信息后,所述MCU微控制器将RFID_EN信号输出为高电平,所述NMOS管Q1控制管脚为高电平,所述NMOS管Q1工作在导通状态,所述PMOS管VT1的控制极被至低电平,所述PMOS管VT1工作在导通状态,所述电池VBAT网络通过所述PMOS管VT1输出至所述VBAT_RFID电源给所述RFID芯片的总电源供电; 所述RFID芯片上电开始工作后,所述MCU微控制器将所述RFID_PD信号输出为高电平,同时,由所述上位机测试软件延时预设的T时间后发送RFID测试指令至所述MCU微控制器,所述MCU微控制器将所述RFID测试指令传输至所述RFID芯片; 所述RFID芯片接收到所述MCU微控制器的所述组网测试启动信息后,进入测试模式进行测试,当所述RFID芯片测试完成并通过后,所述上位机测试软件通过ICE信号将组网测试完成信息发送至所述MCU微控制器,所述MCU微控制器接收到所述组网测试完成信息后,所述MCU微控制器将所述RFID_EN信号输出低电平,所述NMOS管Q1控制管脚为低电平,所述NMOS管Q1工作在截至状态,所述PMOS管VT1的控制极被上拉至高电平,所述PMOS管VT1工作在截至状态,所述电池VBAT网络不能通过所述PMOS管VT1输出至VBAT_RFID电源给所述RFID芯片的总电源供电,所述RFID芯片处于断电关闭状态; 当所述价签上电后,所述MCU微控制器检测所述DEBUG_IN管脚变化,当所述MCU微控制器检测所述DEBUG_IN变为低电平时,所述MCU微控制器判断所述DEBUG_IN信号是否为第一次变为低电平,若所述MCU微控制器判断所述DEBUG_IN信号为第一次变为低电平,则所述MCU微控制器将所述RFID_EN信号输出为高电平,所述NMOS管Q1控制管脚为高电平,所述NMOS管Q1工作在导通状态,所述PMOS管VT1的控制极被至低电平,所述PMOS管VT1工作在导通状态,所述电池VBAT网络通过所述PMOS管VT1输出至所述VBAT_RFID电源给所述RFID芯片的总电源供电,所述RFID芯片上电开始工作。
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