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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种VDMOS陶瓷封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111448058.9，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种VDMOS陶瓷封装结构是由刘建松;吕晓瑞;孔令松;黄颖卓设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VDMOS陶瓷封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种VDMOS陶瓷封装结构，包括：第一金属框架、第二金属框架、陶瓷外壳、导热一体式盖板和VDMOS芯片；其中，第一金属框架包括第一支撑段、第一上横段和第一下横段；第二金属框架包括第二支撑段、第二上横段和第二下横段。本发明在保证器件优良的电学和散热性能的同时，大大提高在高温、高湿度等恶劣环境下的可靠性。

本发明授权一种VDMOS陶瓷封装结构在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS陶瓷封装结构，其特征在于包括：第一金属框架11、第二金属框架12、陶瓷外壳2、导热一体式盖板3和VDMOS芯片4；其中， 第一金属框架11包括第一支撑段111、第一上横段112和第一下横段113；其中，第一上横段112的一端和第一支撑段111的顶端相连接；第一下横段113的一端和第一支撑段111的中部相连接；第一上横段112的另一端穿过陶瓷外壳2的一个侧壁与VDMOS芯片4的一端的上部相连接；第一下横段113的另一端穿过陶瓷外壳2的一个侧壁与VDMOS芯片4的一端的下部相连接； 第二金属框架12包括第二支撑段121、第二上横段122和第二下横段123；其中，第二上横段122的一端和第二支撑段121的顶端相连接；第二下横段123的一端和第二支撑段121的中部相连接；第二上横段122的另一端穿过陶瓷外壳2的另一个侧壁与VDMOS芯片4的另一端的上部相连接；第二下横段123的另一端穿过陶瓷外壳2的另一个侧壁与VDMOS芯片4的另一端的下部相连接； 所述导热一体式盖板3设置于所述陶瓷外壳2的开口处，并且所述导热一体式盖板3的下端与VDMOS芯片4的上表面相连接； 第一上横段112的另一端穿过陶瓷外壳2的一个侧壁通过焊点5与VDMOS芯片4的一端的上部相连接；第一下横段113的另一端穿过陶瓷外壳2的一个侧壁通过焊点5与VDMOS芯片4的一端的下部相连接； 第二上横段122的另一端穿过陶瓷外壳2的另一个侧壁通过焊点5与VDMOS芯片4的另一端的上部相连接；第二下横段123的另一端穿过陶瓷外壳2的另一个侧壁通过焊点5与VDMOS芯片4的另一端的下部相连接； 所述导热一体式盖板3通过粘接胶6设置于所述陶瓷外壳2的开口处，并且所述导热一体式盖板3的下端通过粘接胶6与VDMOS芯片4的上表面相连接； 导热一体式盖板3的平板尺寸L和导热柱高度H，其约束关系如下： L1+2×1.2≥L≥L1+2×0.8； H＝H1+Z1+Z2-Z3； 其中，L为导热一体式盖板3的尺寸，L1为陶瓷外壳2的腔体尺寸；H为导热一体式盖板3的导热柱高度，H1为陶瓷外壳2腔体表面到第二上横段122下表面距离，Z1为框架与芯片焊点高度，Z2为盖板和陶瓷外壳粘接厚度，Z3为导热柱和芯片的粘接厚度； 焊料量V通过如下公式得到： 其中，M为金属框的有效焊接长度，W为金属框的宽度，D为上下框架间的间距，D1为芯片厚度。

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