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龙图腾网获悉电化株式会社申请的专利氮化硅基板、氮化硅-金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113632217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080025283.9，技术领域涉及：H01L23/13；该发明授权氮化硅基板、氮化硅-金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件是由津川优太;小桥圣治;西村浩二设计研发完成，并于2020-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化硅基板、氮化硅-金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件在说明书摘要公布了：本发明提供氮化硅基板，其为含有氮化硅和镁的氮化硅基板，在特定的条件I下，利用X射线荧光分析装置对氮化硅基板的表面进行分析时，XBXA为0.8以上、1.0以下。

本发明授权氮化硅基板、氮化硅-金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件在权利要求书中公布了：1.氮化硅基板，其为含有氮化硅和镁的氮化硅基板， 在下述条件I下，利用X射线荧光分析装置对所述氮化硅基板的表面进行分析时，XBXA为0.80以上且1.00以下， XA为0.1质量％以上且5质量％以下， XB为0.1质量％以上且5质量％以下， 关于在所述条件I下进行分析时得到的XA和XB、以及在下述条件II下利用X射线荧光分析装置对所述氮化硅基板的表面进行分析时得到的YA和YB， YA为0.1质量％以上且10质量％以下， YB为0.1质量％以上且10质量％以下， XAYA为0.7以下， XBYB为0.6以下， 以所述条件I中的交叉点A和4个点B1、B2、B3、B4为中心利用X射线荧光分析装置进行测定时，Si3N4量为80.0质量％以上且98.0质量％以下， 包含除Si3N4、以氧化物换算的镁、以氧化物换算的钇以外的其他成分时，所述其他成分的量为0.10质量％以上且0.50质量％以下， 所述氮化硅基板的表面的对角线的长度为150mm以上， 条件I 利用X射线荧光分析装置，对所述氮化硅基板中的任一面的表面的对角线的交叉点A进行分析，将所述交叉点A处的以氧化物换算的镁量mass％设为XA％；另外，利用X射线荧光分析装置，对处于所述对角线上、且位于从所述氮化硅基板的角部起在向所述交叉点A的方向上朝内侧为3mm的位置的4个点B1、B2、B3、B4进行分析，将该4个点处的以氧化物换算的镁量mass％的算术平均值设为XB％， 条件II 利用X射线荧光分析装置，对所述氮化硅基板中的任一面的表面的对角线的交叉点A进行分析，将所述交叉点A处的以氧化物换算的钇量mass％设为YA％；另外，利用X射线荧光分析装置，对处于所述对角线上、且位于从所述氮化硅基板的角部起在向所述交叉点A的方向上朝内侧为3mm的位置的4个点B1、B2、B3、B4进行分析，将该4个点处的以氧化物换算的钇量mass％的算术平均值设为YB％。

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