三星电子株式会社金昇辰获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112750830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010939805.8,技术领域涉及:H10B12/00;该发明授权集成电路半导体装置是由金昇辰;林晟洙;金锡来;权赫宇;李炳铉;崔允荣设计研发完成,并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路半导体装置在说明书摘要公布了:提供了一种集成电路半导体装置。所述集成电路半导体装置包括:多个圆柱形结构,在基底上彼此分离;以及多个支撑件,具有暴露所述多个圆柱形结构的侧表面的开口区,所述多个支撑件与所述多个圆柱形结构的侧表面接触并且支撑所述多个圆柱形结构,其中,在竖直剖视图中,所述多个支撑件中的每个支撑件具有具备坡度的两个侧表面并且具有比底部宽度小的顶部宽度。
本发明授权集成电路半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种集成电路半导体装置,所述集成电路半导体装置包括: 多个圆柱形结构,在基底上彼此分离;以及 多个支撑件,具有暴露所述多个圆柱形结构的侧表面的开口区,所述多个支撑件与所述多个圆柱形结构的侧表面接触并且支撑所述多个圆柱形结构, 其中,在竖直剖视图中,所述多个支撑件中的每个支撑件具有具备坡度的两个侧表面,并且具有比底部宽度小的顶部宽度, 其中,在竖直剖视图中,以正视角和负视角观看时,所述多个圆柱形结构中的每个圆柱形结构的与所述多个支撑件位于同一水平处的部分的第一侧的侧表面的坡度与所述多个圆柱形结构中的每个圆柱形结构的比所述多个支撑件高的部分的第一侧的侧表面的坡度相反。
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