三星电子株式会社孙龙勳获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010679219.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置是由孙龙勳设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：公开了半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：多个层，沿竖直方向顺序地堆叠在基底上，所述多个层中的每个包括沿第一方向延伸的位线以及从位线沿与第一方向交叉的第二方向延伸的半导体图案；栅电极，延伸穿过所述多个层，并且包括延伸穿过半导体图案的竖直部和从所述竖直部延伸且面对半导体图案中的一个半导体图案的第一表面的第一水平部；以及数据存储元件，电连接到半导体图案中的所述一个半导体图案。数据存储元件包括：第一电极，电连接到半导体图案中的所述一个半导体图案；第二电极，位于第一电极上；以及介电层，位于第一电极与第二电极之间。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括： 多个层，沿竖直方向顺序地堆叠在基底上，所述多个层中的每个包括沿第一方向延伸的位线以及从位线沿与第一方向交叉的第二方向延伸的半导体图案； 栅电极，延伸穿过所述多个层，栅电极包括延伸穿过半导体图案的竖直部和从所述竖直部延伸且面对半导体图案中的一个半导体图案的第一表面的第一水平部；以及 数据存储元件，电连接到半导体图案中的所述一个半导体图案， 其中，数据存储元件包括：第一电极，电连接到半导体图案中的所述一个半导体图案；第二电极，位于第一电极上；以及介电层，位于第一电极与第二电极之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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