三星电子株式会社金润洙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010730842.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件是由金润洙;金海龙;柳承旻;文瑄敏;宋政奎;禹昌秀;郑圭镐;曹仑廷设计研发完成，并于2020-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：公开形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件，所述氧化物膜包括至少两种非氧元素。形成包括至少两种非氧元素的方法包括将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。
本发明授权形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.形成包括至少两种非氧元素的氧化物膜的方法，所述方法包括： 将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素； 提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合； 在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和 将氧化剂提供在所述基材上， 其中所述第一源材料中的所述第一中心元素和所述第二源材料中的所述第二中心元素彼此不同并且各自独立地为金属或半金属。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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