三星电子株式会社姜信焕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利竖直半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010332058.1，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权竖直半导体装置是由姜信焕;孙荣晥;李海旻;金森宏治;韩智勋设计研发完成，并于2020-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本竖直半导体装置在说明书摘要公布了：一种竖直半导体装置可包括堆叠结构和多个沟道结构。堆叠结构可包括交替和重复地堆叠在衬底上的绝缘层和栅极图案。堆叠结构可在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸。栅极图案可包括至少多个第一栅极图案。堆叠结构可包括第一栅极图案之间的牺牲图案。沟道结构可穿过堆叠结构。沟道结构中的每一个可延伸至衬底的上表面，并且沟道结构中的每一个可包括电荷存储结构和沟道。沟道结构中的一些可穿过堆叠结构中的牺牲图案到达衬底的上表面，并且可延伸至衬底的上表面。
本发明授权竖直半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种竖直半导体装置，包括： 衬底，其包括上表面； 堆叠结构，其包括绝缘层和栅极图案，所述绝缘层与所述栅极图案交替和重复地堆叠在所述衬底上，所述堆叠结构在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸，所述栅极图案包括至少多个第一栅极图案，并且所述堆叠结构包括位于与所述多个第一栅极图案中的一个第一栅极图案的水平相同的水平处的牺牲图案；以及 多个沟道结构，其穿过所述堆叠结构，所述沟道结构中的每一个延伸至所述衬底的上表面，并且所述沟道结构中的每一个包括电荷存储结构和沟道， 其中，在所述堆叠结构中，所述沟道结构中的至少一个穿过所述牺牲图案到达衬底的上表面，并且延伸至所述衬底的上表面，并且 其中，所述堆叠结构包括多个串选择晶体管的栅极图案，并且所述牺牲图案在第二方向上位于所述多个串选择晶体管中的至少两个串选择晶体管的栅极图案之间，所述第二方向平行于所述衬底的上表面并且垂直于所述第一方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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