扬州阿特斯太阳能电池有限公司叶晓亚获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州阿特斯太阳能电池有限公司申请的专利一种太阳能电池和光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223428829U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422906592.5，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型一种太阳能电池和光伏组件是由叶晓亚;陈阳;李新岳;刘楦;赵艳;陈海燕;邓伟伟设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种太阳能电池和光伏组件，属于光伏领域。太阳能电池包括硅基体，硅基体的背面设置有间断分布的隧穿氧化层，分为交替间隔排列的若干P区和若干N区；P区上沿着远离隧穿氧化层的方向包括p+掺杂多晶碳化硅层和p+掺杂多晶硅层；N区上设置有n+掺杂多晶碳化硅层；p+掺杂多晶硅层的外表面、P区和N区之间的间隔区域以及n+掺杂多晶碳化硅层的外表面上沿着远离硅基体的方向均层叠设置有背面钝化层和背面减反层；P区上设置有第一背金属电极，第一背金属电极的一端与p+掺杂多晶硅层形成欧姆接触；N区上设置有第二背金属电极，第二背金属电极的一端与n+掺杂多晶碳化硅层形成欧姆接触。
本实用新型一种太阳能电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括硅基体，所述硅基体的背面设置有间断分布的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层分为若干P区和若干N区，所述P区和N区依次交替间隔排列； 所述P区上设置有p+掺杂层，所述p+掺杂层沿着远离所述隧穿氧化层的方向包括p+掺杂多晶碳化硅层和p+掺杂多晶硅层；所述N区上设置有n+掺杂多晶碳化硅层； 所述p+掺杂多晶硅层的外表面、所述P区和N区之间的间隔区域以及所述n+掺杂多晶碳化硅层的外表面上沿着远离所述硅基体的方向均层叠设置有背面钝化层和背面减反层； 所述P区上设置有第一背金属电极，所述第一背金属电极的一端与所述p+掺杂多晶硅层形成欧姆接触，另一端伸出所述P区上的背面减反层；所述N区上设置有第二背金属电极，所述第二背金属电极的一端与所述n+掺杂多晶碳化硅层形成欧姆接触，另一端伸出所述N区上的背面减反层。
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