台湾积体电路制造股份有限公司黄柏崴获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223428810U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422594143.1，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置是由黄柏崴;杜建德;刘致为设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括第一晶体管、第一晶体管之上的第二晶体管、及隔离结构。第一晶体管包括第一半导体通道层、围绕第一半导体通道层的第一栅极结构、及在第一半导体通道层的相对两端上的第一源极漏极磊晶结构。第二晶体管包括第二半导体通道层、围绕第二半导体通道层的第二栅极结构、及在第二半导体通道层的相对两端上的第二源极漏极磊晶结构。隔离结构将第一栅极结构与第二栅极结构电隔离开，其中在俯视图中，隔离结构相邻于第二栅极结构，且其中在第一横截面图中，隔离结构围绕第一半导体通道层。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一第一晶体管，在一基板上方，包含： 一第一半导体通道层； 一第一栅极结构，围绕该第一半导体通道层；以及 多个第一源极漏极磊晶结构，在该第一半导体通道层的相对两端上；一第二晶体管，垂直位于该第一晶体管之上，包含： 一第二半导体通道层； 一第二栅极结构，围绕该第二半导体通道层；以及 多个第二源极漏极磊晶结构，在该第二半导体通道层的相对两端上；以及 一隔离结构，将该第一栅极结构与该第二栅极结构电隔离开，其中在一俯视图中，该隔离结构相邻于该第二栅极结构，且其中在一第一横截面图中，该隔离结构围绕该第一半导体通道层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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