美新半导体(无锡)有限公司;美新半导体(绍兴)有限公司黄黎获国家专利权
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龙图腾网获悉美新半导体(无锡)有限公司;美新半导体(绍兴)有限公司申请的专利磁位置传感器和防抖相机获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223428515U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422110434.9,技术领域涉及:H04N23/68;该实用新型磁位置传感器和防抖相机是由黄黎;蒋乐跃;李尚坤;闫国普;凌方舟设计研发完成,并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁位置传感器和防抖相机在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种磁位置传感器和防抖相机,所述磁位置传感器包括衬底;基于所述衬底形成的信号处理电路、驱动控制电路和TMR磁传感器;封装。所述TMR磁传感器能够感应垂直于所述衬底的表面的磁场,并将得到的磁场传感信号传输给所述信号处理电路,所述信号处理电路用于对所述磁场传感信号进行处理得到处理后的磁场传感信号,所述驱动控制电路根据来自所述信号处理电路的处理后的磁场传感信号输出驱动电流,所述驱动电流使得音圈马达带动镜头模组移动,从而实现对所述镜头模组抖动的补偿,同时又能降低防抖的实现成本。
本实用新型磁位置传感器和防抖相机在权利要求书中公布了:1.一种磁位置传感器,其特征在于,其包括: 衬底; 基于所述衬底形成的信号处理电路、驱动控制电路和TMR磁传感器,所述TMR磁传感器能够感应垂直于所述衬底的表面的磁场,并将得到的磁场传感信号传输给所述信号处理电路,所述信号处理电路用于对所述磁场传感信号进行处理得到处理后的磁场传感信号,所述驱动控制电路根据来自所述信号处理电路的处理后的磁场传感信号输出驱动电流;和 封装。
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