合肥智芯半导体有限公司;苏州萨沙迈半导体有限公司赵毅获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥智芯半导体有限公司;苏州萨沙迈半导体有限公司申请的专利ESD器件的建模方法、装置及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120493826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510995300.6,技术领域涉及:G06F30/3308;该发明授权ESD器件的建模方法、装置及电子设备是由赵毅;胡博成设计研发完成,并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本ESD器件的建模方法、装置及电子设备在说明书摘要公布了:本申请公开了一种ESD器件的建模方法、装置及电子设备,涉及电子电路技术领域。方法包括:获取ESD器件在各个状态下的电压随电流的第一变化关系,以及用于判断ESD器件所处状态的关键参数,该第一变化关系基于能够反映ESD器件的电气特性的I‑V特性数据得到;建立能够模拟ESD器件的电气行为的行为模型。该行为模型基于该第一变化关系和ESD器件的关键参数建立得到。相比于建立物理级模型,该方法无需对ESD器件的物理结构进行分块建模,因此有效降低了ESD器件的建模复杂度,提高了ESD器件的建模效率。
本发明授权ESD器件的建模方法、装置及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种ESD器件的建模方法,其特征在于,所述方法包括: 获取所述ESD器件在各个状态下的电压随电流的第一变化关系,以及用于判断所述ESD器件所处状态的关键参数,所述第一变化关系基于对所述ESD器件进行测试得到的I-V特性数据得到; 获取第一类型的所述ESD器件的所述第一变化关系,与第二类型的所述ESD器件的所述第一变化关系之间的第一转换关系; 获取所述第一类型的所述ESD器件的所述关键参数,与所述第二类型的所述ESD器件的所述关键参数之间的第二转换关系; 建立所述ESD器件的行为模型,所述行为模型基于目标类型的所述ESD器件的所述第一变化关系和所述关键参数,所述第一转换关系,以及所述第二转换关系建立得到,所述目标类型为所述第一类型或所述第二类型; 其中,所述关键参数包括:目标电流、触发电压、触发电流、维持电压、和维持电流,所述目标电流基于所述触发电流确定得到,多个所述状态包括:关闭状态、触发开始状态、滞回状态和导通状态。
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