Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
服务订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 晶能光电股份有限公司程志青获国家专利权

晶能光电股份有限公司程志青获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉晶能光电股份有限公司申请的专利一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119677254B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510186156.1,技术领域涉及:H10H20/816;该发明授权一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片是由程志青;郭啸;付羿设计研发完成,并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片在说明书摘要公布了:本发明提供了一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片,通过电子阻挡层减少电子泄露的同时,在外延结构中的多量子阱层与电子阻挡层之间,采用包含厚度较薄的AlN层的空穴注入层,不仅能降低空穴输运时的势垒屏障高度,还提供了空穴隧穿的有效路径,并增加了空穴注入时的能量,显着提高了空穴注入效率,增大注入到多量子阱层中的空穴浓度,进而增大LED的发光效率。

本发明授权一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片在权利要求书中公布了:1.一种GaN基LED外延结构,其特征在于,包括:依次形成于生长衬底表面的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型氮化物半导体层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层、P型氮化物半导体层和P型欧姆接触层;其中, 所述空穴注入层包括依次形成于多量子阱层表面的第一AlN层、第一AlxInyGazN层、第二AlN层、第二AlaInbGacN层,z=1-x-y,c=1-a-b,第一AlN层的厚度为1nm~3nm,第二AlN层的厚度为0.5nm~2nm;所述第二AlaInbGacN层中的Mg掺杂浓度为5×1019cm3至3×1020cm3,第一AlxInyGazN层的厚度为0.5nm-1.5nm,第二AlaInbGacN层的厚度为25nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人晶能光电股份有限公司,其通讯地址为:330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。