晶能光电股份有限公司程志青获国家专利权
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龙图腾网获悉晶能光电股份有限公司申请的专利一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510186156.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片是由程志青;郭啸;付羿设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过电子阻挡层减少电子泄露的同时，在外延结构中的多量子阱层与电子阻挡层之间，采用包含厚度较薄的AlN层的空穴注入层，不仅能降低空穴输运时的势垒屏障高度，还提供了空穴隧穿的有效路径，并增加了空穴注入时的能量,显着提高了空穴注入效率,增大注入到多量子阱层中的空穴浓度，进而增大LED的发光效率。
本发明授权一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，包括：依次形成于生长衬底表面的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型氮化物半导体层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层、P型氮化物半导体层和P型欧姆接触层；其中， 所述空穴注入层包括依次形成于多量子阱层表面的第一AlN层、第一AlxInyGazN层、第二AlN层、第二AlaInbGacN层，z=1-x-y，c=1-a-b，第一AlN层的厚度为1nm~3nm，第二AlN层的厚度为0.5nm~2nm；所述第二AlaInbGacN层中的Mg掺杂浓度为5×1019cm3至3×1020cm3，第一AlxInyGazN层的厚度为0.5nm-1.5nm，第二AlaInbGacN层的厚度为25nm。
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