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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种给定温度范围的超结结构参数优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119323085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411200489.7，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权一种给定温度范围的超结结构参数优化方法是由王晓;安哲名;易啸天;李宗霖;黄海猛设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种给定温度范围的超结结构参数优化方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，提供一种给定温度范围的超结结构参数优化方法，使得优化后超结结构在给定温度范围下均满足预期耐压值，并保证相同条件下比导通电阻最小，使得超结结构的能耗最小；首先，构建设计耐压值拟合表达式，通过拟合表达式重新拟合得到给定温度范围的设计耐压值BVdesign，使得优化结果在实际应用的实际BV值均高于预期耐压值BVrequire，从而保证器件不会发生提前击穿，且具有最小比导通电阻；然后，利用新提出有效碰撞电离率模型，给出结构参数掺杂深度优化值Wopt与掺杂浓度优化值Nopt与设计耐压值BVdesign、深宽比AR、最高温度Tmax相关的解析表达式，为超结结构的参数优化提供了更加便捷的求解途径。

本发明授权一种给定温度范围的超结结构参数优化方法在权利要求书中公布了：1.一种给定温度范围的超结结构参数优化方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、根据设计目标获取超结结构的深宽比AR、预期耐压值BVrequire以及工作温度范围[Tmin,Tmax]，Tmin与Tmax分别为最低温度与最高温度； 步骤2、根据预期耐压值BVrequire、深宽比AR与最高温度Tmax，带入设计耐压值拟合表达式进行拟合，得到设计耐压值BVdesign； 步骤3、根据设计耐压值BVdesign、深宽比AR与最高温度Tmax，带入掺杂深度解析表达式与掺杂浓度解析表达式，对应得到掺杂深度优化值Wopt与掺杂浓度优化值Nopt； 掺杂深度解析表达式具体为： Wopt＝γTmax0.17·BVdesign1.17·AR-0.17AR+16.10.17， γT＝1.94×10-34-7.88×10-37·T+8.48×10-40·T2， 掺杂浓度解析表达式具体为： Nopt＝1.76×107·γTmax-0.33·BVdesign-1.33·AR1.33AR+16.1-0.33， γT＝1.94×10-34-7.88×10-37·T+8.48×10-40·T2， 其中，T为温度。

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