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美光科技公司S·E·西里斯获国家专利权

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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利装置、存储器装置及电子系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118447884B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410595782.1,技术领域涉及:G11C5/02;该发明授权装置、存储器装置及电子系统是由S·E·西里斯;K·D·拜格尔设计研发完成,并于2019-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

装置、存储器装置及电子系统在说明书摘要公布了:本申请案涉及装置、存储器装置及电子系统。一种装置包括堆叠结构,所述堆叠结构包括叠层,所述叠层各自包括:存储器层级,其包括存储器元件;控制逻辑层级,其垂直地邻近所述存储器层级并与其电连通且包括控制逻辑装置,所述控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的控制操作的一部分;及额外控制逻辑层级,其垂直地邻近所述存储器层级并与其电连通且包括额外控制逻辑装置,所述额外控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的所述控制操作的额外部分。本发明也描述一种存储器装置、一种操作装置的方法及一种电子系统。

本发明授权装置、存储器装置及电子系统在权利要求书中公布了:1.一种装置,其包括: 第一堆叠结构,其包括: 第一存储器层级,其包括第一存储器单元; 第一控制逻辑层级,其在所述第一存储器层级下方且包括第一控制逻辑装置,所述第一控制逻辑装置包括第一薄膜晶体管,所述第一控制逻辑装置经配置以实现所述第一存储器层级的控制操作的一部分; 第二控制逻辑层级,其在所述第一存储器层级上方且包括第二控制逻辑装置,所述第二控制逻辑装置包括第二薄膜晶体管,所述第二控制逻辑装置经配置以实现所述第一存储器层级的所述控制操作的额外部分; 第二存储器层级,其包括在所述第二控制逻辑层级上方的第二存储器单元,所述 第二控制逻辑层级的所述第二控制逻辑装置经配置以实现所述第二存储器层级的控制操作的一部分;及 第三控制逻辑层级,其在所述第二存储器层级上方且包括第三控制逻辑装置,所述第三控制逻辑装置包括第三薄膜晶体管,所述第三控制逻辑装置经配置以实现所述第二存储器层级的所述控制操作的额外部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司,其通讯地址为:美国爱达荷州;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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