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龙图腾网获悉无锡华瑛微电子技术有限公司申请的专利半导体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111460467.0，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体处理装置是由温子瑛设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部和第二腔室部中的至少一个包括主体部以及嵌入部，所述主体部的面向所述微腔室的表面上形成有嵌合槽，所述嵌入部嵌入所述嵌合槽内与所述主体部形成一个整体。这样，所述嵌入部由于加工温度和工作温度的不同而导致的变形误差会被大幅度的减小，从而提高半导体处理装置的精度。

本发明授权半导体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括： 第一腔室部； 可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入； 第一腔室部和第二腔室部中的至少一个包括主体部以及嵌入部，所述主体部的面向所述微腔室的表面上形成有嵌合槽，所述嵌入部嵌入所述嵌合槽内与所述主体部形成一个整体， 主体部在10-30度范围内的热膨胀系数小于所述嵌入部在10-30度范围内的热膨胀系数， 将低温的嵌入部放置入所述主体部的嵌合槽中，在常温状态下时，所述嵌入部会膨胀从而撑满所述嵌合槽， 所述半导体晶圆在容纳于所述微腔室内时，所述半导体晶圆的边缘部分对应所述嵌入部的表面，所述半导体晶圆的中间部分对应所述主体部的表面，或者，所述半导体晶圆在容纳于所述微腔室内时，所述半导体晶圆的中间部分和边缘部分都对应所述嵌入部的表面。

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