天狼芯半导体(成都)有限公司李菀婷获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利双向开关器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310176267.5，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权双向开关器件及其制备方法、芯片是由李菀婷;黄汇钦设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本双向开关器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请提出一种双向开关器件及其制备方法、芯片，其中，双向开关器件包括漂移层、载流子层、P‑body区、P+区、N+区、介质层、栅极层、钝化层、发射极，其中，每个载流子层上的P‑body区、P+区和N+区分别等效成IGBT的基区、集电区和发射区，从而等效形成两个反向并联的IGBT，半导体上集成形成了双向开关，简化了双向开关的结构，同时，降低了设计成本，并且双向开关器件采用垂直型IGBT集成结构，可降低器件的导通损耗，可应用于超高压领域。
本发明授权双向开关器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种双向开关器件，其特征在于，包括： 漂移层，以及沿第一方向上，分别设置于所述漂移层两侧的载流子层； 临近所述载流子层边角设置的四个P-body区，所述P-body区位于所述载流子层内； 临近各所述P-body区边角设置的四个P+区，以及沿第二方向上，分别临近各所述P+区设置的N+区，一所述P+区和一所述N+区位于一所述P-body区，所述第一方向与所述第二方向交叉； 沿所述第一方向上，分别层叠于一所述载流子层上的介质层，一所述介质层位于一所述载流子层上的两个所述N+区之间且部分交叠； 沿所述第一方向上，分别层叠于一所述介质层上的栅极层，一所述栅极层与相邻一所述介质层两侧对齐； 沿所述第一方向上，分别层叠于一所述栅极层上的钝化层，一所述钝化层覆盖相邻一所述介质层和一所述栅极层的侧边； 沿所述第一方向上，分别层叠于一所述钝化层上的发射极，一所述发射极覆盖相邻一所述钝化层以及相邻一所述载流子层上的各所述P+区和各所述N+区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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