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龙图腾网获悉深圳市中和风科技开发有限公司申请的专利一种脱毛仪的控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114652433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111547694.7，技术领域涉及：A61B18/18；该发明授权一种脱毛仪的控制电路是由杨柳设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种脱毛仪的控制电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种脱毛仪的控制电路，包括升压模块、功能控制模块、储能模块、能量输出控制模块和处理模块，当脱毛仪开机时，所述升压模块将电源电压升压处理给储能模块充电，所述功能控制模块接收脱毛指令时，所述处理模块使储能模块放电，同时能量输出控制模块使其输出的能量密度小于设定能量密度，延长能量输出时长，从而在脱毛时降低烫或疼痛感，防止灼伤用户的皮肤，提升用户体验，而且脱毛仪输出光的总能量不变，脱毛效果也能达到预期效果。并且在当储能模块的电压低于预设值时，所述升压模块将输入电压升压处理给储能模块充电，确保脱毛工作时，能输出足够时长的光。

本发明授权一种脱毛仪的控制电路在权利要求书中公布了：1.一种脱毛仪的控制电路，包括升压模块、功能控制模块和储能模块，其特征在于，还包括：能量输出控制模块、处理模块和用于检测检能模块的电压档位的电压检测模块，当脱毛仪开机时，所述升压模块将电源电压升压处理给储能模块充电，所述功能控制模块接收脱毛指令时，所述处理模块使储能模块放电，同时能量输出控制模块使其输出的能量密度小于设定能量密度，延长能量输出时长，具体由处理模块控制能量输出控制模块的输出功率小于额定功率，并延长时能量输出时间，使能量输出控制模块输出光的总能量不变，降低单位时间内的能量密度; 所述能量输出控制模块包括IGBT开关管、单向可控硅、共模电感、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管和第二二极管，所述IGBT开关管的门极通过第一电阻连接处理模块的能量驱动端，IGBT开关管的集电极连接能量输出头的第2脚，所述IGBT开关管的发射极连接第一二极管的正极、也通过第一电容连接第二二极管的正极和单向可控硅的阳极和共模电感的第3脚，第四电阻的一端，单向可控硅的控制极通过第二电阻连接处理模块的高压脉冲控制端、也通过第三电阻连接单向可控硅的阴极和共模电感的第1脚，所述第二电容与第三电阻并联，所述共模电感的第2脚连接能量输出头的第3脚，第四电阻的另一端和能量输出头的第1脚连接电压检测模块和储能模块的正极；由微处理器的RA1AN1脚输出相应的高压脉冲信号，使单向可控硅导通整流，经共模电感和高压电容滤波后加载到能量输出头的第3脚，同时微处理器的RA1AN1脚输出高电平使IGBT开关管导通，且导通时间和输出电流可由RA1AN1脚控制，通过IGBT开关管导通调节能量输出头IPL输出能量密度较小、持续时长较长的光； 所述电压检测模块包括第一三极管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻和第十电阻，所述第一三极管的基极通过第五电阻连接处理模块的放电驱动端，第一三极管的集电极通过第六电阻连接能量输出头的第1脚和的正极、第七电阻的一端、第八电阻的一端和储能模块的正极，所述第一三极管的发射极和第七电阻的另一端接地，所述第八电阻的另一端通过第十电阻连接处理模块的电压检测端、也通过第九电阻接地；所述第一三极管为NPN三极管，当其基极为高电平时，第一三极管导通，所述第八电阻、第九电阻构成电压采样电阻，向处理模块实时反馈储能模块的电压值，从而使微处理器根据储能模块的电压档位控制RA1AN1脚的电压和电流。

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