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龙图腾网获悉江苏芯梦半导体设备有限公司申请的专利一种晶圆单面蚀刻设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300384B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111544648.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种晶圆单面蚀刻设备是由廖周芳;邵树宝;储冬华;李团绪;方周翔设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆单面蚀刻设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆单面蚀刻设备，包括加工台，加工台上间隔地开设有多个用于水平放置待蚀刻的晶圆的圆形的摆片口，蚀刻设备还包括设于加工台上方的遮挡盖、设于加工台下方且具有封闭的内腔的喷雾槽，以及设于加工台下方的酸雾供给装置，喷雾槽的内腔与所有的摆片口相连通，酸雾供给装置包括用于向上喷雾的喷雾管路，喷雾管路设置在喷雾槽中，遮挡盖具有朝向加工台的遮挡面，遮挡盖具有打开状态与遮挡状态，当遮挡盖处于遮挡状态下，遮挡面覆盖在所有的摆片口的上方，且遮挡面贴合在所有的晶圆的上表面上。该蚀刻设备结构简单、占用空间小，安装便捷、操作方便、运行平稳，能够显著降低生产运行及维护成本。

本发明授权一种晶圆单面蚀刻设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆单面蚀刻设备，其特征在于：所述蚀刻设备包括加工台，所述加工台上间隔地开设有多个用于水平放置待蚀刻的晶圆的摆片口，所述摆片口呈与所述待蚀刻的晶圆的形状相配合的圆形，所述蚀刻设备还包括设于所述加工台上方的遮挡盖、设于所述加工台下方且具有封闭的内腔的喷雾槽，以及设于所述加工台下方的酸雾供给装置，所述喷雾槽的内腔与所有的所述摆片口相连通，所述酸雾供给装置包括用于向上喷雾的喷雾管路，所述喷雾管路设置在所述喷雾槽中，所述遮挡盖具有朝向所述加工台的遮挡面，所述遮挡盖具有打开状态与遮挡状态，当所述遮挡盖处于所述遮挡状态下，所述遮挡面覆盖在所有的所述摆片口的上方，且所述遮挡面贴合在所有的所述晶圆的上表面上， 其中，所述摆片口的内侧周壁上固设有圆环状的限位台，所述摆片口的内径大于等于所述待蚀刻的晶圆的直径，所述限位台的内径小于所述待蚀刻的晶圆的直径，所述加工台具有台面，所述限位台低于所述台面，且所述限位台的上表面与所述台面之间的距离等于所述待蚀刻的晶圆的厚度，当所述遮挡盖处于所述遮挡状态下，所述遮挡面贴合抵靠在所述台面上，每个所述摆片口上的所述待蚀刻的晶圆均将所述摆片口封闭； 所述蚀刻设备还包括安装台，所述安装台上设有安装槽，所述加工台固设于所述安装台上且位于所述安装槽中，所述安装槽的周向侧壁高于所述加工台的上表面，当所述遮挡盖处于所述遮挡状态下，所述遮挡面低于所述安装槽的周向侧壁，所述遮挡盖至少部分位于所述安装槽中。

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