全磊光电股份有限公司单智发获国家专利权
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龙图腾网获悉全磊光电股份有限公司申请的专利一种太阳电池外延片及太阳电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223415208U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422586753.7，技术领域涉及：H10F77/14；该实用新型一种太阳电池外延片及太阳电池是由单智发;张永;张双翔;方天足;陈阳华;李洪雨设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳电池外延片及太阳电池在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳电池外延片及太阳电池，涉及太阳电池技术领域，该太阳电池外延片包括：衬底和位于衬底一侧的第一子电池，第一子电池包括依次层叠排布的第一发射层、过渡层和第一窗口层。其中，第一发射层为N型N型GaInAs层，过渡层为N型GaInP层，第一窗口层为N型AlInP层。由此可见，本申请提供的太阳电池外延片在其N型GaInAs发射层先生长了N型GaInP过渡层，然后在生长N型AlInP窗口层。相较于相关技术，避免了N型AlInP窗口层中的Al原子与As原子和P原子同时结合，有效避免AlInAsP缺陷的形成，有助于提高太阳电池光生载流子的收集效率，从而提高太阳电池的开路电压和短路电流密度。
本实用新型一种太阳电池外延片及太阳电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池外延片，其特征在于，包括： 衬底； 第一子电池，所述第一子电池位于所述衬底的一侧，所述第一子电池包括依次层叠的第一发射层、过渡层和第一窗口层，所述过渡层位于所述第一发射层和所述第一窗口层之间； 其中，所述第一发射层为N型GaInAs层，所述过渡层为N型GaInP层，所述第一窗口层为N型AlInP层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人全磊光电股份有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区同龙二路567号第一、二、三层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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