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龙图腾网获悉深圳市高石半导体科技有限公司申请的专利一种模块化MOSEFT多电平逆变器装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223414778U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422720126.8，技术领域涉及：H02M1/00；该实用新型一种模块化MOSEFT多电平逆变器装置是由陈行设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种模块化MOSEFT多电平逆变器装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种模块化MOSEFT多电平逆变器装置，包括支撑组件，所述支撑组件包括底座、插槽、滑槽、导向杆、弹簧、限位块和连接块；所述底座的内侧壁对称开设有两个插槽，所述底座的内侧壁对称开设有两个滑槽，所述滑槽的一端与插槽连通；所述支撑组件的顶部设置有防护组件，所述防护组件包括顶板、防护板、连接杆、限位槽和定位柱。本实用新型通过推动连接杆进入插槽，并利用限位块和限位槽配合，使连接杆固定于插槽内部，方便了MOSEFT多电平逆变器装置的安装，提高MOSEFT多电平逆变器装置的生产效率。通过推动连接块移动，能够带动限位块退出限位槽，以便于完成MOSEFT多电平逆变器装置的拆卸，节省MOSEFT多电平逆变器装置的拆卸和维修所需的时间。

本实用新型一种模块化MOSEFT多电平逆变器装置在权利要求书中公布了：1.一种模块化MOSEFT多电平逆变器装置，包括支撑组件10，其特征在于：所述支撑组件10包括底座11、插槽17、滑槽18、导向杆19、弹簧110、限位块111和连接块112； 所述底座11的内侧壁对称开设有两个插槽17，所述底座11的内侧壁对称开设有两个滑槽18，所述滑槽18的一端与插槽17连通，所述底座11的内侧壁对称滑动连接有两个导向杆19，所述导向杆19的外侧壁套设有弹簧110，所述导向杆19的一端固定连接有限位块111，所述限位块111的底部固定连接有连接块112，所述限位块111滑动连接于滑槽18的内侧壁； 所述支撑组件10的顶部设置有防护组件20，所述防护组件20包括顶板21、防护板22、连接杆23、限位槽24和定位柱25； 所述顶板21的底部对称固定连接有防护板22，所述防护板22的底部对称固定连接有两个定位柱25，所述防护板22的一侧固定连接有连接杆23，所述连接杆23的一侧固定连接有限位槽24。

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