深圳市中科光芯半导体科技有限公司郑君雄获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市中科光芯半导体科技有限公司申请的专利一种可发射单模激光束的垂直腔面发射激光器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223414442U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423107498.X，技术领域涉及：H01S5/183；该实用新型一种可发射单模激光束的垂直腔面发射激光器是由郑君雄;杨旭;潘钺设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可发射单模激光束的垂直腔面发射激光器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体激光器技术领域，具体地，涉及可发射单模激光束的垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器，包括衬底、N电极、N型DBR部、有源部、P型DBR部和P电极，所述衬底、所述N电极、所述N型DBR部、所述有源部、所述P型DBR部和所述P电极由下至上依次叠加设置；浮雕结构，所述浮雕结构设在所述激光器的光射出面上；及，介质层，设在所述激光器的光射出面上；聚合物层，所述P电极延伸至所述聚合物层的上方。实施例，通过在垂直腔面发射激光器的光射出面上设置浮雕结构，这里的浮雕结构作为横向耦合腔，使得光子在横向耦合器腔内形成光子‑光子谐振效应，即通过横向耦合腔提高VCSEL激光器的调制频率调制带宽。
本实用新型一种可发射单模激光束的垂直腔面发射激光器在权利要求书中公布了：1.一种可发射单模激光束的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括：衬底、N电极、N型DBR部、有源部、P型DBR部和P电极，所述衬底、所述N电极、所述N型DBR部、所述有源部、所述P型DBR部和所述P电极由下至上依次叠加设置； 浮雕结构，所述浮雕结构设在所述激光器的光射出面上，所述浮雕结构对应氧化孔的位置设置； 介质层，设在所述激光器的光射出面上，所述介质层为阶梯结构；及，聚合物层，所述聚合物层设在所述垂直腔面发射激光器上，并且所述P电极延伸至所述聚合物层的上方。
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