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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利利用相反时钟补偿加固的环形振荡器、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120567160B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511063052.8，技术领域涉及：H03L1/00；该发明授权利用相反时钟补偿加固的环形振荡器、芯片及电子设备是由梁斌;方亚豪;罗登;沈凡;文溢;陈建军;池雅庆设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用相反时钟补偿加固的环形振荡器、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用相反时钟补偿加固的环形振荡器、芯片及电子设备，本发明的环形振荡器包含用于对延迟节点的输出引脚OUT1利用相反时钟补偿加固的补偿加固电路，补偿加固电路包括2个PMOS晶体管M1和M2，2个NMOS晶体管M3和M4，PMOS晶体管M1的源极接电压VDD、漏极依次通过串联的PMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3、M4接地，PMOS晶体管M1和NMOS晶体管M4的栅极连接到输出引脚OUT1，PMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3的栅极均与输出引脚OUT1信号互补的输入引脚IN3相连。本发明旨在针对环形振荡器实现抗辐射加固，提高环形振荡器的抗单粒子效应干扰的性能。

本发明授权利用相反时钟补偿加固的环形振荡器、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种利用相反时钟补偿加固的环形振荡器，包括由多个延迟节点串联构成的环形振荡器电路本体，其特征在于，所述环形振荡器电路本体包含用于对延迟节点的输出引脚OUT1利用相反时钟补偿加固的补偿加固电路，所述补偿加固电路包括2个PMOS晶体管M1和M2，以及2个NMOS晶体管M3和M4，PMOS晶体管M1的源极接电压VDD、漏极依次通过串联的PMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4接地，且PMOS晶体管M1和NMOS晶体管M4的栅极连接到延迟节点的输出引脚OUT1以补偿延迟节点的输出引脚OUT1，PMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3的栅极均与环形振荡器中与输出引脚OUT1信号互补的输入引脚IN3相连；所述延迟节点包括级联的三级反相器，每一级反相器均由一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管串联组成，其中PMOS晶体管的源极连接控制信号VOSC、NMOS晶体管的源极接地，第一级反相器中PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极连接到延迟节点的输入引脚IN2、且PMOS晶体管和NMOS晶体管的漏极连接到延迟节点的输入引脚IN1，第二级反相器中PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极连接到延迟节点的输入引脚IN1、且PMOS晶体管和NMOS晶体管的漏极连接到延迟节点的输出引脚OUT1，第三级反相器中PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极连接到延迟节点的输出引脚OUT1、且PMOS晶体管和NMOS晶体管的漏极连接到延迟节点的输出引脚OUT2；所述环形振荡器电路本体为由10个延迟节点串联构成的环状结构。

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