武汉理工大学三亚科教创新园周亮获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学三亚科教创新园申请的专利一种碳穿插超细硅网络复合材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511053229.6，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种碳穿插超细硅网络复合材料及其制备方法和应用是由周亮;刘金帅;余若瀚;钟雨霞;张磊;麦立强设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳穿插超细硅网络复合材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳穿插超细硅网络复合结构的制备方法及应用。该方法以低比表面积碳骨架为载体，经高温空气氧化预处理后，通过气相沉积或混合法负载纳米硅颗粒，组装电池进行原位电化学诱导。诱导过程中硅颗粒经历“锂化融合‑脱锂键合”形成连续网络，碳相穿插其中限制硅团聚，获得硅网络骨架尺寸为5‑40nm的双相穿插结构。其实施例作为锂离子电池负极在0.2Ag‑1下比容量达1507mAhg‑1，100次循环容量保持率94.8%，匹配LiFePO4的全电池50次循环容量保持率98.1%。本发明摒弃高成本多孔碳载体，解决纳米硅团聚与副反应问题，兼容工业化生产。
本发明授权一种碳穿插超细硅网络复合材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种碳穿插超细硅网络复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1碳骨架预处理：将比表面积18m2g‑1的碳材料在空气中300‑400℃热处理2‑3小时进行氧化得到碳骨架； 2硅复合：在碳骨架上负载硅颗粒得到复合物； 3电化学诱导：以复合物为负极组装电池，在0.01‑1.5V电压范围内以0.2‑1.0Ag‑1电流密度循环3‑4圈，诱导形成碳穿插超细硅网络复合材料。
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