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龙图腾网获悉浙江翠展微电子有限公司申请的专利一种芯片三维堆叠的高功率密度模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511054751.6，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种芯片三维堆叠的高功率密度模块是由唐卓凡;欧东赢;吴瑞;彭昊设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片三维堆叠的高功率密度模块在说明书摘要公布了：本发明涉及功率模块技术领域，特别涉及一种芯片三维堆叠的高功率密度模块。所述芯片三维堆叠的高功率密度模块包括第一组件，第二组件，以及塑封体。所述第二铜层位于所述第一铜层上方且相互平行并间隔设置，连接铜排连接所述第二铜层和所述第一铜层。模块化设计的第二组件允许根据功率需求灵活增减其数量，不需要依赖复杂布线或中介层。将所述第一组件和所述第二组件的芯片端子先独立正放回流焊，然后再将所述第二组件倒置通过所述连接铜排与所述第一铜层进行超声焊接连接，克服了多次回流焊导致金属层增厚热阻增加以及倒置焊接焊料易脱落的技术障碍。第一铜层和第二铜层相互背向的端面与塑封体齐平并露出，可以直接外接散热器实现芯片的良好散热。

本发明授权一种芯片三维堆叠的高功率密度模块在权利要求书中公布了：1.一种芯片三维堆叠的高功率密度模块，其特征在于：所述芯片三维堆叠的高功率密度模块包括一个第一组件，至少一个设置在所述第一组件上的第二组件，以及一个设置在所述第一组件和所述第二组件上的塑封体，所述第一组件包括一个第一铜层，至少一个设置在所述第一铜层上的第一芯片，一个设置在所述第一铜层上的输入端子，以及至少一个设置在所述第一芯片上的第一输出端子，所述第二组件包括一个第二铜层，多个设置在所述第二铜层一侧的连接铜排，两个设置在所述第二铜层上的第二芯片，以及一个设置在所述第二芯片上的第二输出端子，所述第二铜层位于所述第一铜层上方且相互平行并间隔设置，所述连接铜排一端与所述第二铜层连接，另一端设置有一个弯折部并与所述第一铜层连接，使得第二铜层与所述第一铜层电路连通且所述第二铜层和所述第一铜层内的多个芯片相互并联连接，所述第一组件和第二组件内的芯片和端子先正放采用回流焊进行焊接，在完成后将所述第二组件倒置并通过超声波焊接连接所述连接铜排和所述第一铜层。

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