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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种高致密性SiO2薄膜的沉积方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120555991B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511045166.X，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种高致密性SiO2薄膜的沉积方法及其应用是由薛成龙;杨朋辉;国洪晨;李昕;柏文文;王含冠;华千慧;王奇;朱霄设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高致密性SiO2薄膜的沉积方法及其应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种高致密性SiO2薄膜的沉积方法及其应用，属于复合衬底加工技术领域。提供待沉积衬底；将衬底放入化学气相沉积腔室内基座上，保持350±50℃，通入SiH4、Ar、N2O，流量分别为500±50sccm、1000±200sccm和100±20sccm，射频功率100±20W，沉积SiO2薄膜60±20s；继续通入SiH4、Ar和N2O，并重复沉积SiO2薄膜，重复2~4次，每次沉积比上次沉积SiH4流量增加50±10sccm，射频功率增加30±6W；停止SiH4和N2O供应并关闭射频功率，将SiO2薄膜放置在腔室中，并将腔室加热到600±50℃退火处理120±20min完成沉积。

本发明授权一种高致密性SiO2薄膜的沉积方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种高致密性SiO2薄膜的沉积方法，其特征在于，所述沉积方法包括如下步骤： S1、提供待沉积衬底，清洗后备用； S2、提供化学气相沉积腔室，将待沉积衬底放入腔室内的基座上，保持第一温度350±50℃，并通入SiH4、Ar、N2O气体，SiH4、Ar、N2O的通入流量分别为500±50sccm、1000±200sccm和100±20sccm，射频功率100±20W，沉积SiO2薄膜60±20s； S3、继续通入SiH4、Ar和N2O，并重复沉积SiO2薄膜，重复2~4次，每次沉积比上次沉积过程中，SiH4的流量增加50±10sccm，射频功率增加30±6W； S4、停止SiH4和N2O的供应并关闭射频功率，将制备的SiO2薄膜继续放置在腔室中，并将腔室加热到第二温度600±50℃进行退火处理120±20min，完成所述高致密性SiO2薄膜的沉积。

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