买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种键合晶圆的倒角方法及异质薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120551859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511037800.5，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种键合晶圆的倒角方法及异质薄膜是由国洪晨;薛成龙;杨朋辉;李昕;柏文文;王含冠;华千慧;王奇;朱霄设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种键合晶圆的倒角方法及异质薄膜在说明书摘要公布了：本申请涉及一种键合晶圆的倒角方法及异质薄膜，属于复合衬底制备技术领域。该方法包括S1键合过程：对上层晶圆进行离子注入形成离子注入层，将上层晶圆的注入面作为键合面与底层晶圆键合；S2第一倒角过程：提供第一倒角砂轮，接触面宽度为倒角预设宽度，将第一倒角砂轮的工作面自上而下与上层晶圆接触并打磨，打磨深度为第一预设深度；S3第二倒角过程：提供第二倒角砂轮，将第二倒角砂轮的工作面与上层晶圆的边缘接触，向上层晶圆的内部打磨，形成第二预设深度，而倒角预设宽度不变，打磨至达到倒角预设宽度；S4对上层晶圆进行减薄处理；S5退火处理得异质薄膜。本方案能去除键合片边缘的同时，减少碎片情况的发生，所得异质薄膜的键合力性能优异。

本发明授权一种键合晶圆的倒角方法及异质薄膜在权利要求书中公布了：1.一种键合晶圆的倒角方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： S1、键合过程：提供上层晶圆和底层晶圆，所述上层晶圆材质为氧化镓、氮化镓、Ⅲ‑V族化合物半导体、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅中的至少一种，所述底层晶圆材质为碳化硅、金刚石、蓝宝石、二氧化硅、Si、氧化镓、氮化镓、Ⅲ‑V族化合物半导体、铌酸锂、钽酸锂中的至少一种； S2、对上层晶圆进行离子注入形成离子注入层，将上层晶圆的注入面作为键合面与底层晶圆键合； S3、第一倒角过程：提供第一倒角砂轮，接触面宽度为倒角预设宽度，将第一倒角砂轮的工作面自上而下与上层晶圆接触并打磨，打磨深度为第一预设深度，第一预设深度小于上层晶圆厚度，形成台阶结构； S4、第二倒角过程：提供第二倒角砂轮，将第二倒角砂轮的工作面与上层晶圆的边缘接触，以0.08~0.12mms的速度向上层晶圆的内部打磨，形成第二预设深度，而倒角预设宽度不变，打磨至达到倒角预设宽度，形成台阶结构，上层晶圆的定位边位置的打磨速度为0.06~0.10 mms； S5、保持第二预设深度和倒角预设宽度不变的情况下，第二倒角砂轮保持转速清扫至少1圈； S6、对上层晶圆进行减薄处理，得到键合层层叠于底层晶圆之上； S7、退火处理使键合层从离子注入层分裂脱离，获得异质薄膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人达波科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201309 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路3699号5幢1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。