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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种用于PSAR ADC的开环残差放大器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120546619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511036797.5，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种用于PSAR ADC的开环残差放大器及电子设备是由罗登;曾佳钰;李航;梁斌;陈建军;池雅庆;喻国芳设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于PSAR ADC的开环残差放大器及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于PSARADC的开环残差放大器及电子设备，本发明的开环残差放大器的第一电路单元包括由第一超级源随器结构和NMOS管M7构成的两级结构，负极输出端Voutn还通过一电阻R21连接到中间电压VCM；所述第二电路单元包括由第二超级源随器结构和PMOS管M5构成的两级结构，所述第二超级源随器结构包括NMOS管M11、PMOS管M9、电阻R12、电流源IXN和电流源IYN。本发明旨在解决开环残差放大器控制时钟的抖动所造成的影响的问题，避免增益和带宽在设计上的相互制约以供更高速PSARADC使用，以及提升残差放大器输入跨导的线性度。

本发明授权一种用于PSAR ADC的开环残差放大器及电子设备在权利要求书中公布了：1. 一种用于PSAR ADC的开环残差放大器，其特征在于，包括第一电路单元和第二电路单元，所述第一电路单元包括由第一超级源随器结构和NMOS管M7构成的两级结构，所述第一超级源随器结构包括PMOS管M1、NMOS管M3、电阻R11、电流源IXP和电流源IYP，电源经过依次串联的电流源IXP、PMOS管M1、电流源IYP后接地GND，PMOS管M1的栅极连接到负极输入端Vin，PMOS管M1的源极通过电阻R11与NMOS管M3的漏极相连、PMOS管M1的漏极与NMOS管M3、NMOS管M7的栅极相连，NMOS管M3、NMOS管M7的源极接地，NMOS管M7的漏极连接到负极输出端Voutn，且负极输出端Voutn还通过一电阻R21连接到中间电压VCM，所述中间电压VCM为负极输入端Vin和正极输入端Vip的平均值；所述第二电路单元包括由第二超级源随器结构和PMOS管M5构成的两级结构，所述第二超级源随器结构包括NMOS管M11、PMOS管M9、电阻R12、电流源IXN和电流源IYN，电源经过依次串联的电流源IYN、NMOS管M11、电流源IXN后接地GND，NMOS管M11的栅极连接到负极输入端Vin，NMOS管M11的源极通过电阻R12与PMOS管M9的漏极相连、NMOS管M11的漏极与PMOS管M9、PMOS管M5的栅极相连，PMOS管M9、PMOS管M5的源极接电源，PMOS管M5的漏极连接到负极输出端Voutn；所述PSAR ADC是指基于流水线串并转换器的模数转换器，所述基于流水线串并转换器的模数转换器由多级串并转换‑模数转换器和残差放大器构成。

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