长春理工大学郝群获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511015110.X，技术领域涉及：H10K50/11；该发明授权一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管及制备方法是由郝群;魏志鹏;张聪;唐吉龙设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管及制备方法在说明书摘要公布了：一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管及制备方法，属于半导体器件技术领域，解决现有技术中胶体量子点在超辐射发光二极管应用中因光谱调控精度不足使光学增益提升受限的技术问题。所述二极管包括：分布式布拉格反射镜，由ITO阴极、电子传输层、CQD有源层、空穴传输层、间隔层与电流聚焦结构层、空穴注入层和Ag阳极由下至上依次设置并组成的巴条结构；分布式布拉格反射镜是横向布拉格反射波导的结构，该结构包括多对交替层；CQD有源层内填充有核壳胶体量子点；间隔层与电流聚焦结构层为狭缝结构；Ag阳极沿平面方向与所述分布式布拉格反射镜形成横向腔结构。本发明的超辐射发光二极管适用于宽带光学相干断层扫描、陀螺仪光纤传感等技术领域。
本发明授权一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管，其特征在于，所述二极管包括：分布式布拉格反射镜1，由ITO阴极2、电子传输层3、CQD有源层4、空穴传输层5、间隔层与电流聚焦结构层6、空穴注入层7和Ag阳极8由下至上依次设置并组成的巴条结构9； 所述分布式布拉格反射镜1是横向布拉格反射波导的结构，该结构包括多对交替层； 所述CQD有源层4内填充有核壳胶体量子点； 所述间隔层与电流聚焦结构层6为狭缝结构； 所述Ag阳极8沿平面方向与所述分布式布拉格反射镜1形成横向腔结构。
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