深南电路股份有限公司胡群昆获国家专利权
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龙图腾网获悉深南电路股份有限公司申请的专利一种电路板及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120512816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511006534.X，技术领域涉及：H05K1/05；该发明授权一种电路板及制备方法是由胡群昆;王泽东;李文;陈文卓设计研发完成，并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电路板及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电路板制备技术领域，尤其涉及一种电路板及制备方法。一种电路板包括芯板和复合绝缘层，复合绝缘层层压在芯板的厚度方向的表面，复合绝缘层的厚度t为120~180μm；复合绝缘层包括半固化层和树脂层，半固化层层叠在芯板与树脂层之间；半固化层是由半固化片固化形成，半固化片的Tg＞230℃；树脂层是由一层树脂固化形成，树脂的Df≤0.003@1MHz。通过高耐热性的半固化层和低介质损耗特性的树脂层的材料特性互补，使得半固化层和树脂层两者复合后形成的复合绝缘层兼具低损耗、高耐热性能和高绝缘性能，使得复合绝缘层的厚度能够控制在t为120~180μm，复合绝缘层相对较薄，热阻相对较低。
本发明授权一种电路板及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电路板，其特征在于，包括芯板和复合绝缘层，所述复合绝缘层层压在所述芯板的厚度方向的表面，所述复合绝缘层的厚度t为120~180μm；所述复合绝缘层包括半固化层和树脂层，所述半固化层层叠在所述芯板与树脂层之间；所述半固化层是由半固化片固化形成，所述半固化片的玻璃化转变温度Tg＞230℃；所述树脂层是由一层树脂固化形成，所述树脂在1MHz时的介电损耗因子Df≤0.003。
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