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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种基于三段集成高功率超辐射发光二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120500167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510984787.8，技术领域涉及：H10H20/00；该发明授权一种基于三段集成高功率超辐射发光二极管及制备方法是由魏志鹏;张聪;孙龙龙;唐吉龙设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三段集成高功率超辐射发光二极管及制备方法在说明书摘要公布了：一种基于三段集成高功率超辐射发光二极管及制备方法，属于光电子器件的结构及其加工技术领域，解决基于三段集成结构的超辐射发光二极管输出的光功率定向放大的技术问题。所述二极管为三段集成结构，三段集成结构为由DBR光栅区、J型脊波导超辐射发光二极管区和半导体光放大器区顺次连接组成的级联结构；三段集成结构由下至上设有多层结构，依次为：下电极、下衬底、下限制层、MQW多量子阱有源层、上限制层、上衬底和上电极。DBR光栅区包括波导层和包层的横向锥型波导结构。J型脊波导超辐射发光二极管区由弯曲波导部分和直条波导部分组成。半导体光放大器区为锥型行波结构。本发明适用于光学相干层析成像以及光纤陀螺仪领域中，实现光功率放大。

本发明授权一种基于三段集成高功率超辐射发光二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备三段集成高功率超辐射发光二极管的方法，所述方法为制作所述三段集成结构，其特征在于，所述方法包括： 利用电子束光刻方法制备DBR光栅区8的步骤； 通过制备逐层生长外延片制备J型脊波导超辐射发光二极管区9的步骤； 利用外延生长与器件制作的工艺方法制备半导体光放大器区10的步骤； 所述制备J型脊波导超辐射发光二极管区9的步骤如下： 制备逐层生长外延片：采用基于金属有机化学气相沉积的外延生长工艺，逐层生长外延片，该外延片包括由下至上的逐层结构为：衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱有源层、上限制层及盖层；其中，所述多量子阱有源层中有材料为InGaAsP的腐蚀停止层； 制备J型脊波导超辐射发光二极管区9：采用光刻机套刻工艺实现波导、电极窗口和解理沟道的图形对齐；利用湿法腐蚀工艺采用3:1的H3PO4:HCl溶液各向异性腐蚀InP，获得波导侧壁陡直性角度为85°；采用等离子体增强化学气相沉积生长300nm的材料为SiO2的绝缘层；通过二次光刻开窗暴露波导顶部，通过光刻形成20μm宽光刻胶掩模，蒸镀Ti‑Pt‑Au上电极后剥离胶条；外延片减薄并抛光后，蒸镀Au‑Ge‑Ni下电极，420℃氮气退火2‑3分钟优化欧姆接触。

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