武汉衡惯科技发展有限公司黄晟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉衡惯科技发展有限公司申请的专利一种MEMS惯性传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120403623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510886315.9，技术领域涉及：G01C21/16；该发明授权一种MEMS惯性传感器及其制造方法是由黄晟;李钊;汪超;王春水;刘翔天;杜全沛设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS惯性传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于微机电系统技术领域，具体提供了一种MEMS惯性传感器，包括依次堆叠键合的电路层、第一器件层、第二器件层和盖帽层；第一器件层下表面设有多个第一支撑梁；多个所述第一支撑梁与所述电路层键合；所述第二器件层设有多个第二支撑梁；多个所述第二支撑梁与所述第一器件层键合；所述盖帽层与所述第二器件层键合；所述盖帽层与所述电路层之间合围形成电路区。本发明提供的这种MEMS惯性传感器通过直接上下键合两个器件层，即能实现传感器的多功能性，而且让封装工艺更简单，封装体积更小，同时在应用端相比单层器件结构的更节约成本，有利于提升工艺制作良率和集成系统的小型化。
本发明授权一种MEMS惯性传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS惯性传感器，其特征在于：包括依次堆叠键合的电路层、第一器件层、第二器件层和盖帽层；所述第一器件层设有多个第一支撑梁；多个所述第一支撑梁与所述电路层键合；所述第二器件层设有多个第二支撑梁；多个所述第二支撑梁与所述第一器件层键合；所述盖帽层与所述第二器件层键合；所述盖帽层与所述电路层之间合围形成电路区；所述第一器件层上开设有多个贯通第一器件层的第一通道；所述第二器件层上开设有多个贯通第二器件层的第二通道；所述第二通道、第一通道、电路区连通。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉衡惯科技发展有限公司，其通讯地址为：430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1131(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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