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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510857959.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由卢小龙;葛瑞;宋增超;元琳;初剑;张卓强;祝康设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制造方法，用于解决如何增大电容结构的电容量的技术问题。该半导体器件包括：晶体管结构，晶体管结构包括沿第一方向延伸的半导体主体；电容结构，位于晶体管结构沿第一方向的一侧，电容结构包括第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的介质层，第一电极层和半导体主体耦接；其中，第一电极层包括第一子电极和环绕第一子电极的第二子电极，第一子电极和第二子电极的轴向方向均为第一方向，介质层覆盖第一子电极的内侧壁和外侧壁以及第二子电极的内侧壁和外侧壁。如此，有利于增大第一电极层和第二电极层之间的正对面积，从而增大电容结构的电容量。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 晶体管结构，所述晶体管结构包括沿第一方向延伸的半导体主体； 电容结构，位于所述晶体管结构沿所述第一方向的一侧，所述电容结构包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的介质层，所述第一电极层和所述半导体主体耦接；其中，所述第一电极层包括第一子电极和环绕所述第一子电极的第二子电极，所述第一子电极包括第一环形结构，所述第二子电极包括第二环形结构，所述第一环形结构和所述第二环形结构的轴向方向均为所述第一方向，所述介质层包括覆盖所述第一子电极的内侧壁的第一子介质层、覆盖所述第一子电极的外侧壁的第二子介质层、覆盖所述第二子电极的内侧壁的第三子介质层和覆盖所述第二子电极的外侧壁的第四子介质层，所述第二电极层包括覆盖所述第一子介质层的内侧壁的第一部分、覆盖所述第二子介质层的外侧壁和所述第三子介质层的内侧壁的第二部分和覆盖所述第四子介质层的外侧壁的第三部分； 所述第一子电极包括相对靠近所述半导体主体的第一端部和相对远离所述半导体主体的第二端部，所述第二子电极包括相对靠近所述半导体主体的第三端部和相对远离所述半导体主体的第四端部；所述第一电极层还包括：第三子电极，所述第三子电极分别连接所述第一端部和所述第三端部，且所述第三子电极和所述半导体主体耦接；所述介质层还包括：覆盖所述第三子电极的第七子介质层，且所述第七子介质层分别连接所述第二子介质层和所述第三子介质层；所述第二部分还覆盖所述第七子介质层。

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